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In der Halbleiterfertigung definiert der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) den „ 10-Nanometer-Prozess “ als den MOSFET -Technologieknoten, der auf den „14-nm“ -Knoten folgt.
Der Begriff „14-Nanometer-Prozess“ bezeichnet die MOSFET -Technologie , die den 22 -nm- (oder 20- nm-)Knoten ablöst . Die Bezeichnung „14 nm“ stammt aus dem International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
Der 180-nm-Prozess ist eine MOSFET- ( CMOS- ) Halbleiterprozesstechnologie , die um den Zeitraum 1998–2000 von führenden Halbleiterunternehmen kommerzialisiert wurde, beginnend mit TSMC und Fujitsu , gefolgt von Sony ,
Die 22-nm-Technologie ist der Nachfolger der 32-nm- Technologie in der CMOS- MOSFET- Halbleiterfertigung . Sie wurde 2008 erstmals von Halbleiterherstellern für den Einsatz in Arbeitsspeichern ( RAM) demonstriert .
Das „28-nm“-Lithographieverfahren ist ein Halbknoten- Halbleiterfertigungsverfahren , das auf einer Verkleinerung des „32-nm“-Lithographieverfahrens basiert . Es wurde 2010 in der Produktion eingesetzt.
In semiconductor manufacturing, the International Roadmap for Devices and Systems defines the "5 nm" process as the MOSFETtechnology node following the "7 nm" node.
Der 800-nm-Prozess (800- Nanometer -Prozess) ist eine Stufe der Halbleiterprozesstechnologie, die im Zeitraum von 1987 bis 1990 von Unternehmen wie Intel , ATI Technologies und IBM erreicht wurde .
Aufgeführt sind zahlreiche Beispiele für Halbleitermaßstab für verschiedene Halbleiterfertigungsprozessknoten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET oder MOS-Transistor) .