Drahtbonden ist ein Verfahren zur Herstellung von Verbindungen zwischen einem integrierten Schaltkreis (IC) oder einem anderen Halbleiterbauelement und dessen Gehäuse während der Halbleiterfertigung .
Kategorie
Packaging (microfabrication)
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Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis ( 3D-IC ) ist ein MOS-IC (Metall-Oxid-Halbleiter -Schaltkreis ), der durch Stapeln von bis zu 16 oder mehr ICs und deren vertikale Verbindung, beispielsweise mittels
Elektronische Gehäusetechnik umfasst die Entwicklung und Fertigung von Gehäusen für elektronische Geräte – von einzelnen Halbleiterbauelementen bis hin zu kompletten Systemen wie Großrechnern .
Eine Umverteilungsschicht ( RDL ) ist eine zusätzliche Metallschicht auf einem integrierten Schaltkreis , die dessen I/O-Pads an anderen Stellen des Chips verfügbar macht, um bei Bedarf einen besseren Zugriff auf die
Die Charakterisierung von Wafer-Verbindungen bezeichnet den Prozess der Bewertung der Qualität und Festigkeit einer Verbindung zwischen zwei Halbleiterwafern . Sie basiert auf verschiedenen Methoden und Tests.
Waferbonden ist eine Verpackungstechnologie auf Wafer -Ebene zur Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), nanoelektromechanischen Systemen (NEMS), Mikroelektronik und Optoelektronik .