Semiconductor fabrication materials

Das Gate-Oxid ist die dielektrische Schicht, die den Gate -Anschluss eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von den darunterliegenden Source- und Drain-Anschlüssen sowie dem leitenden Kanal trennt,

Siliziumnitrid ist eine chemische Verbindung der Elemente Silizium und Stickstoff .