Ein Feldeffekttransistor-basierter Biosensor , auch bekannt als Biosensor-Feldeffekttransistor ( Bio-FET oder BioFET ), Feldeffekt-Biosensor ( FEB ) oder Biosensor-MOSFET , ist ein Feldeffekttransistor (basierend auf der
ExzellentBiosensors
Kategorie
Transistor types
19 Artikel
Ein Bipolartransistor ( BJT ) ist ein Transistortyp , der sowohl Elektronen als auch Löcher als Ladungsträger nutzt .
GutBipolar transistors
Ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate ( IGBT ) ist ein dreipoliges Leistungshalbleiterbauelement, das primär als elektronischer Schalter dient.
ExzellentBipolar transistors
Ein ChemFET ist ein chemisch-sensitiver Feldeffekttransistor , der als Sensor zur Messung chemischer Konzentrationen in Lösungen eingesetzt wird .
GutAcid–base chemistry
Ein Fin-Feldeffekttransistor ( FinFET ) ist ein Multigate-Bauelement , genauer gesagt ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter -Feldeffekttransistor ), der auf einem Substrat aufgebaut ist , bei dem das Gate an zwei, drei oder
ExzellentField-effect transistors
The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated,
ExzellentMOSFETs
Ein ionensensitiver Feldeffekttransistor ( ISFET ) ist ein Feldeffekttransistor zur Messung von Ionenkonzentrationen in Lösungen. Ändert sich die Ionenkonzentration (z. B.
GutAcid–base chemistry
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor ( JFET ) ist einer der einfachsten Feldeffekttransistortypen .
GutField-effect transistors
LDMOS ( lateral diffundierter Metall-Oxid-Halbleiter ) ist ein planarer, doppelt diffundierter MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), der in Verstärkern wie Mikrowellen- , HF- und
ExzellentElectronic design
Ein MESFET ( Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor ) ist ein Feldeffekttransistor- Halbleiterbauelement, das einem JFET ähnelt, jedoch anstelle eines p-n-Übergangs einen Schottky -Übergang ( Metall - Halbleiter-Übergang
GutField-effect transistors
In der Elektronik ist der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ( MOSFET , MOS-FET , MOS FET oder MOS-Transistor ) ein Feldeffekttransistor (FET), der üblicherweise durch kontrollierte Oxidation von Silizium
ExzellentMOSFETs
Ein Multigate-Bauelement , auch Multigate-MOSFET oder Multigate-Feldeffekttransistor ( MuGFET ) genannt, ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit mehreren Gates .
ExzellentMOSFETs
NOMFET ist ein organischer Feldeffekttransistor mit Nanopartikel -Speicher. Der Transistor ist so konzipiert, dass er die als Plastizität bekannte Eigenschaft der menschlichen Synapse nachbildet , also die Veränderung
GutComputer storage devices
Ein früher Pentodentransistor wurde Anfang der 1950er Jahre als Verbesserung gegenüber dem Punktkontakttransistor entwickelt .
SolideTransistor types
Der Punktkontakttransistor war der erste erfolgreich demonstrierte Transistortyp . Er wurde im Dezember 1947 von den Wissenschaftlern John Bardeen und Walter Brattain in den Bell Laboratories entwickelt.
ExzellentBipolar transistors
In der Halbleiterfertigungstechnologie bezeichnet man als selbstjustierendes Gate ein Herstellungsverfahren für Transistoren , bei dem die Gate -Elektrode eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) als
Exzellent1966 introductions
In den frühen 1950er Jahren wurden zwei Arten von Tetrodentransistoren als Verbesserung gegenüber dem Punktkontakttransistor sowie den später entwickelten Transistoren mit gewachsener Kontaktschicht und
GutTransistor types
Der Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) ist ein experimenteller Transistortyp. Obwohl seine Struktur dem eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors ( MOSFET ) sehr ähnlich ist, unterscheidet sich der grundlegende
ExzellentField-effect transistors
Bei Feldeffekttransistoren (FETs) sind der Verarmungsmodus und der Anreicherungsmodus die beiden wichtigsten Transistortypen, die sich danach richten, ob sich der Transistor bei einer Gate-Source-Spannung von Null im
GutMOSFETs