Russell Dean Dupuis (geboren am 9. Juli 1947) ist ein US-amerikanischer Elektroingenieur und Physiker.

Er ist Inhaber des Steve W. Chaddick-Lehrstuhls für Elektrooptik an der Fakultät für Elektrotechnik und Informatik des Georgia Institute of Technology (Georgia Tech) . Er hat Pionierarbeit auf dem Gebiet der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung ( MOCVD ) und der kontinuierlichen Quantenfilmlaser bei Raumtemperatur geleistet. [ 1 ] Seine weiteren Forschungsschwerpunkte liegen auf III-V-Heterostrukturen und LEDs .

Dupuis wurde 1989 für seine Pionierarbeit auf dem Gebiet der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung und die Demonstration von Heterostrukturbauelementen zum Mitglied der National Academy of Engineering gewählt.

Ausbildung

Dupuis erwarb seinen Bachelor-Abschluss (1970), seinen Master-Abschluss (1971) und seinen Doktortitel (1972) in Elektrotechnik an der University of Illinois at Urbana–Champaign . [ 1 ]

Beruflicher Werdegang

Prof. Dupuis arbeitete zunächst von 1973 bis 1975 bei Texas Instruments. 1975 wechselte er zu Rockwell International, wo er gemeinsam mit P. Dan Dapkus als Erster nachwies, dass sich mit MOCVD hochwertige Halbleiterdünnschichten und Bauelemente wie Laser herstellen lassen. 1979 ging er zu den AT&T Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey. Dort demonstrierte er zusammen mit Ralph Logn, C. J. Pinzone und Jan van der Ziel als Erster das direkte Wachstum von GaAs-Lasern auf Silizium, die im Dauerstrichbetrieb bei Raumtemperatur arbeiten konnten. Er erweiterte seine Arbeit auf das Wachstum von InP-InGaAsP mittels MOCVD und demonstrierte den ersten VCSEL mit langer Wellenlänge von 1,55 Mikrometern. 1989 wechselte er in den akademischen Bereich und übernahm eine Professur am von Ben G. Streetman gegründeten Mikroelektronikzentrum der University of Texas in Austin.

Auszeichnungen und Mitgliedschaften

Als angesehener Wissenschaftler der Georgia Research Alliance wurde Dupuis zusammen mit zwei seiner Kollegen 2002 von Präsident George W. Bush mit der National Medal of Technology für ihre Arbeit an der Entwicklung und Kommerzialisierung von LEDs ausgezeichnet . [ 2 ] Er erhielt 1985 den IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award . 2015 teilte er sich mit vier weiteren Wissenschaftlern den Charles Stark Draper Prize in Engineering der US National Academy of Engineering . [ 3 ] Er ist Mitglied der National Academy of Engineering und Fellow des IEEE, der American Physical Society , der American Association for the Advancement of Science und der Optical Society of America .

Russell D. Dupuis gewann 2004 den John-Bardeen -Preis [ 4 ] und 2007 die IEEE -Edison-Medaille . [ 1 ] [ 5 ] Im Jahr 2025 wurde ihm der Japan-Preis auf dem Gebiet „Materialwissenschaft und Produktion“ verliehen. [ 6 ]

Referenzen

  1. ^ a b c "Russell D. Dupuis" . IEEE . 13. September 2017.
  2. ^ „Präsident Bush verleiht Professor des Georgia Institute of Technology die Nationale Technologiemedaille“ . Georgia Institute of Technology . 7. November 2003. Archiviert vom Original am 5. September 2006.
  3. ^ "Professor Russell Dupuis" .
  4. ^ „Russell D. Dupuis, Gewinner des John-Bardeen-Preises 2004“ . IEEE LEOS Newsletter, Band 17, Nummer 6, Dezember 2003.{{cite web}}CS1-Wartung: Veralteter Archivierungsdienst ( Link )
  5. ^ „Dupuis erhält IEEE Edison Award“ . Georgia Institute of Technology . 07.03.2007. Archiviert vom Original am 16.03.2007.
  6. ^ Japan-Preis 2025