Aluminiumgalliumarsenid (auch Galliumaluminiumarsenid ) ( Al <sub>x </sub>Ga<sub> 1−x</sub> As ) ist ein Halbleitermaterial mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs , aber einer größeren Bandlücke .
ExzellentAluminium compounds
Kategorie
Arsenides
4 Artikel
InAsSbP wurde als Sperrschicht für Halbleiterlaserstrukturen sowie für mittel-infrarote Leuchtdioden und Laser , Fotodetektoren und thermophotovoltaische Zellen verwendet .
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Indiumgalliumarsenid ( InGaAs ; alternativ Galliumindiumarsenid , GaInAs ) ist eine ternäre Legierung ( chemische Verbindung ) aus Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs).
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Zinkcadmiumphosphidarsenid ( Zn - Cd - P - As ) ist ein quaternäres System aus Elementen der Gruppen II ( IUPAC- Gruppe 12 ) und V (IUPAC- Gruppe 15 ).
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