Indiumarsenid-Antimonid- Phosphid ( InAsSbP ) ist ein Halbleitermaterial .
InAsSbP wurde als Sperrschicht für Halbleiterlaserstrukturen sowie für mittel-infrarote Leuchtdioden und Laser [ 1 ] , Fotodetektoren [ 2 ] und thermophotovoltaische Zellen [ 3 ] verwendet .
InAsSbP-Schichten können durch Heteroepitaxie auf Indiumarsenid , Galliumantimonid und anderen Materialien abgeschieden werden. [ 4 ]
Siehe auch
Referenzen
- ^ Shur, Michael; Suris, R. A. (2020). Compound semiconductors 1996: proceedings of the twenty-third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996 . Boca Raton. p. 552. ISBN 978-1-000-15712-3OCLC 1222799133 .
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- ^ Martí, Antonio; Luque, A. (2004). Photovoltaik der nächsten Generation: Hohe Effizienz durch vollständige Spektrumsnutzung . Bristol: Institute of Physics. S. 265. ISBN 978-1-4200-3386-1OCLC 80745662 .
- ^ Kuech, Tom (2014). Handbuch des Kristallwachstums. Band III, Dünnschichten und Epitaxie: Grundlagen . Burlington: Elsevier Science. S. 267. ISBN 978-0-444-63305-7OCLC 913620060 .
