III-V compounds

Aluminiumgalliumarsenid (auch Galliumaluminiumarsenid ) ( Al _xGa_1−x As ) ist ein Halbleitermaterial mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs , aber einer größeren Bandlücke .

Aluminiumphosphid ist eine hochgiftige anorganische Verbindung mit der chemischen Formel AlP, die als Halbleiter mit großer Bandlücke und als Begasungsmittel verwendet wird .

Bornitrid ist eine thermisch und chemisch beständige, hochschmelzende Verbindung aus Bor und Stickstoff mit der chemischen Formel B₃N₄ .

InAsSbP wurde als Sperrschicht für Halbleiterlaserstrukturen sowie für mittel-infrarote Leuchtdioden und Laser , Fotodetektoren und thermophotovoltaische Zellen verwendet .

Indiumgalliumarsenid ( InGaAs ; alternativ Galliumindiumarsenid , GaInAs ) ist eine ternäre Legierung ( chemische Verbindung ) aus Indiumarsenid (InAs) und Galliumarsenid (GaAs).

Indiumgalliumphosphid ( InGaP ), auch Galliumindiumphosphid (GaInP) genannt, ist ein Halbleiter aus Indium , Gallium und Phosphor .