Transistor modeling

Ein Bipolartransistor ( BJT ) ist ein Transistortyp , der sowohl Elektronen als auch Löcher als Ladungsträger nutzt .

BSIM (Berkeley Short-Channel IGFET Model) bezeichnet eine Familie von MOSFET -Transistormodellen für den Entwurf integrierter Schaltungen.

Die Schwellenspannung eines Feldeffekttransistors (FET) , üblicherweise als V _th oder V_GS(th) abgekürzt, ist die minimale Gate-Source- Spannung (V_GS ), die erforderlich ist, um einen

Transistoren sind einfache Bauelemente mit komplexem Verhalten . Um den zuverlässigen Betrieb von Schaltungen mit Transistoren zu gewährleisten, ist es notwendig, die physikalischen Phänomene, die während ihres Betriebs