Ein orangefarbener Metallkühlkörper bedeckt die RAM-ICs, die auf der darunterliegenden Leiterplatte verlötet sind. Ein Teil der Leiterplatte ist als grüner Streifen unterhalb des Kühlkörpers sichtbar. Ganz unten befinden sich die Goldkontakte, die in den Computer gesteckt werden.
DDR4-SDRAM- Modul. Im Jahr 2021 bestanden über 90 Prozent des in PCs und Servern verwendeten Arbeitsspeichers aus diesem Typ. [ 1 ]

Der Arbeitsspeicher eines Computers speichert Informationen wie Daten und Programme zur unmittelbaren Verwendung im Computer ; [ 2 ] die vom Computer abgerufenen Anweisungen und die von diesen Anweisungen abgerufenen und gespeicherten Daten befinden sich im Arbeitsspeicher. Die Begriffe Speicher , Hauptspeicher und Primärspeicher werden ebenfalls für den Arbeitsspeicher verwendet.

Der Arbeitsspeicher eines Computers wird oft als RAM ( Random-Access Memory) bezeichnet , obwohl einige ältere Speicherformen, wie beispielsweise Trommelspeicher , keinen Direktzugriff bieten. Archaische Synonyme für Hauptspeicher sind Kern (für Magnetkernspeicher ) und Speicher . [ 3 ]

Der Hauptspeicher arbeitet im Vergleich zum Massenspeicher, der zwar langsamer, aber pro Bit günstiger und kapazitätsstärker ist, mit hoher Geschwindigkeit. Neben der Speicherung geöffneter Programme und aktuell verarbeiteter Daten dient der Arbeitsspeicher auch als Massenspeicher-Cache und Schreibpuffer , um die Lese- und Schreibleistung zu verbessern. Betriebssysteme nutzen typischerweise RAM- Kapazität für Caching-Zwecke, solange diese nicht von laufender Software benötigt wird. [ 4 ] Bei Bedarf können Inhalte des Arbeitsspeichers auf den Massenspeicher ausgelagert werden; dies geschieht üblicherweise mithilfe einer Speichermanagementtechnik namens virtueller Speicher .

Moderne Computerspeicher werden als Halbleiterspeicher realisiert [ 5 ] [ 6 ]. Dabei werden Daten in Speicherzellen gespeichert , die aus MOS-Transistoren und anderen Bauteilen auf einem integrierten Schaltkreis bestehen [ 7 ] . Es gibt zwei Hauptarten von Halbleiterspeichern: flüchtige und nichtflüchtige . Beispiele für nichtflüchtige Speicher sind Flash-Speicher sowie ROM- , PROM- , EPROM- und EEPROM- Speicher. Beispiele für flüchtige Speicher sind dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM), der als Primärspeicher verwendet wird, und statischer Direktzugriffsspeicher (SRAM), der hauptsächlich für den CPU-Cache eingesetzt wird .

Die meisten Halbleiterspeicher sind in Speicherzellen organisiert, die jeweils ein Bit (0 oder 1) speichern . Flash-Speicher verwenden sowohl Speicherzellen mit einem Bit pro Zelle als auch mehrstufige Zellen, die mehrere Bits speichern können. Die Speicherzellen sind in Wörter fester Länge gruppiert , beispielsweise 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 oder 128 Bit. Jedes Wort kann über eine binäre Adresse von N Bit angesprochen werden, wodurch es möglich ist, 2 <sup>N</sup> Wörter im Speicher abzulegen .

Geschichte

Historisch niedrigster Einzelhandelspreis für Computerspeicher und -speicher
Elektromechanischer Speicher, der im IBM 602 , einem frühen Lochkartenmultiplikationsrechner, verwendet wurde.
Detailansicht der Rückseite eines ENIAC- Abschnitts mit Vakuumröhren .
Williams-Röhre als Speicher im IAS-Computer um 1951
8 GB microSDHC- Karte zusätzlich zu 8 Byte Magnetkernspeicher (1 Kern = 1 Bit ).    

Anfang der 1940er-Jahre erlaubte die Speichertechnologie oft nur eine Kapazität von wenigen Bytes. Der erste elektronische programmierbare Digitalrechner , der ENIAC , der Tausende von Vakuumröhren verwendete , konnte einfache Berechnungen mit 20 Zahlen mit jeweils zehn Dezimalstellen durchführen, die in den Vakuumröhren gespeichert waren.

Der nächste bedeutende Fortschritt im Bereich der Computerspeicherung gelang mit dem akustischen Verzögerungsleitungsspeicher , der Anfang der 1940er-Jahre von J. Presper Eckert entwickelt wurde. Durch den Bau eines mit Quecksilber gefüllten Glasrohrs , das an beiden Enden mit einem Quarzkristall verschlossen war, konnten Verzögerungsleitungen Informationsbits in Form von Schallwellen speichern, die sich durch das Quecksilber ausbreiteten. Die Quarzkristalle dienten dabei als Wandler zum Lesen und Schreiben der Bits. Die Speicherkapazität des Verzögerungsleitungsspeichers war auf einige Tausend Bit begrenzt.

Zwei Alternativen zur Verzögerungsleitung, die Williams-Röhre und die Selectron-Röhre , entstanden 1946. Beide nutzten Elektronenstrahlen in Glasröhren als Speichermedium. Fred Williams erfand mithilfe von Kathodenstrahlröhren die Williams-Röhre, den ersten Direktzugriffsspeicher für Computer . Die Williams-Röhre konnte mehr Informationen speichern als die Selectron-Röhre (die Selectron war auf 256 Bit begrenzt, die Williams-Röhre hingegen auf Tausende) und war kostengünstiger. Allerdings reagierte die Williams-Röhre äußerst empfindlich auf Umwelteinflüsse.

Ende der 1940er-Jahre begannen die Bemühungen um nichtflüchtige Speicher . Magnetkernspeicher ermöglichten den Datenabruf auch nach Stromausfall. Sie wurden Ende der 1940er-Jahre von Frederick W. Viehe und An Wang entwickelt und Anfang der 1950er-Jahre von Jay Forrester und Jan A. Rajchman verbessert , bevor sie 1953 mit dem Computer Whirlwind I kommerziell eingeführt wurden. [ 8 ] Magnetkernspeicher waren bis zur Entwicklung von MOS- Halbleiterspeichern in den 1960er-Jahren die dominierende Speicherform. [ 9 ]

Der erste Halbleiterspeicher wurde Anfang der 1960er-Jahre als Flip-Flop- Schaltung mit Bipolartransistoren realisiert . [ 9 ] Texas Instruments lieferte 1961 erstmals einen Halbleiterspeicher aus diskreten Bauelementen an die US-Luftwaffe. Im selben Jahr schlug der Anwendungsingenieur Bob Norman von Fairchild Semiconductor das Konzept eines Festkörperspeichers auf einem integrierten Schaltkreis (IC) vor . [ 10 ] Der erste bipolare Halbleiterspeicher-IC war der SP95, der 1965 von IBM eingeführt wurde. [ 9 ] Obwohl Halbleiterspeicher eine höhere Leistung als Magnetkernspeicher boten, blieben sie größer und teurer und konnten Magnetkernspeicher erst Ende der 1960er-Jahre verdrängen. [ 9 ] [ 11 ]

MOS-Speicher

Die Erfindung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors ( MOSFET ) ermöglichte den praktischen Einsatz von Metall-Oxid-Halbleiter- Transistoren (MOS) als Speicherelemente . MOS-Speicher wurden 1964 von John Schmidt bei Fairchild Semiconductor entwickelt. [ 12 ] Neben höherer Leistung waren MOS- Halbleiterspeicher kostengünstiger und verbrauchten weniger Strom als Magnetkernspeicher. [ 13 ] 1965 schlugen J. Wood und R. Ball vom Royal Radar Establishment digitale Speichersysteme vor , die neben MOSFET- Leistungshalbleitern für die Stromversorgung , geschalteten Kreuzkopplungen, Schaltern und Verzögerungsleitungen auch CMOS- Speicherzellen (komplementäre MOS-Speicher) nutzten . [ 14 ] Die Entwicklung der Silizium-Gate- MOS-IC -Technologie (MOS-IC) durch Federico Faggin bei Fairchild im Jahr 1968 ermöglichte die Produktion von MOS -Speicherchips . [ 15 ] NMOS -Speicher wurden Anfang der 1970er-Jahre von IBM kommerzialisiert . [ 16 ] Anfang der 1970er Jahre löste der MOS-Speicher den Magnetkernspeicher als dominierende Speichertechnologie ab. [ 13 ]

Die beiden Haupttypen von flüchtigem Direktzugriffsspeicher (RAM) sind statischer Direktzugriffsspeicher (SRAM) und dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM). Bipolarer SRAM wurde 1963 von Robert Norman bei Fairchild Semiconductor erfunden [ 9 ] , gefolgt von der Entwicklung des MOS-SRAM durch John Schmidt, ebenfalls bei Fairchild, im Jahr 1964 [ 13 ]. SRAM wurde zu einer Alternative zum Magnetkernspeicher, benötigt jedoch sechs Transistoren pro Datenbit [ 17 ] . Die kommerzielle Nutzung von SRAM begann 1965 mit der Einführung des SP95-SRAM-Chips von IBM für das System/360 Modell 95 [ 9 ] .

Toshiba führte 1965 bipolare DRAM- Speicherzellen für seinen elektronischen Taschenrechner Toscal BC-1411 ein. [ 18 ] [ 19 ] Obwohl bipolare DRAM eine verbesserte Leistung bot, konnte sie mit dem niedrigeren Preis der damals dominierenden Magnetkernspeicher nicht konkurrieren. [ 20 ] Die MOS-Technologie bildet die Grundlage für moderne DRAM. 1966 arbeitete Robert H. Dennard im IBM Thomas J. Watson Research Center an MOS-Speichern. Bei der Untersuchung der Eigenschaften der MOS-Technologie entdeckte er, dass sich Kondensatoren herstellen ließen und dass das Speichern einer Ladung oder Nicht-Ladung auf dem MOS-Kondensator die 1 und 0 eines Bits repräsentieren konnte, während der MOS-Transistor das Schreiben der Ladung auf den Kondensator steuern konnte. Dies führte zur Entwicklung einer Ein-Transistor-DRAM-Speicherzelle. [ 17 ] 1967 meldete Dennard ein Patent für eine auf MOS-Technologie basierende Ein-Transistor-DRAM-Speicherzelle an. [ 21 ] Dies führte im Oktober 1970 zur Entwicklung des ersten kommerziellen DRAM-IC-Chips, des Intel 1103. [ 22 ] [ 23 ] [ 24 ] Synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM) wurde später mit dem Samsung KM48SL2000-Chip im Jahr 1992 eingeführt. [ 25 ] [ 26 ]

Der Begriff „Speicher“ wird oft auch für nichtflüchtige Speicher verwendet , von Festwertspeichern (ROM) bis hin zu modernen Flash-Speichern . Programmierbarer Festwertspeicher (PROM) wurde 1956 von Wen Tsing Chow erfunden , der damals für die Arma Division der American Bosch Arma Corporation arbeitete. [ 27 ] [ 28 ] 1967 schlugen Dawon Kahng und Simon Sze von den Bell Labs vor, das Floating Gate eines MOS- Halbleiterbauelements als Zelle eines reprogrammierbaren ROMs zu verwenden. Dies führte 1971 zur Erfindung des EPROM (löschbarer PROM) durch Dov Frohman von Intel. [ 29 ] EEPROM (elektrisch löschbarer PROM) wurde 1972 von Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi und Kiyoko Naga am Elektrotechnischen Laboratorium entwickelt. [ 30 ] Flash-Speicher wurden Anfang der 1980er-Jahre von Fujio Masuoka bei Toshiba erfunden. [ 31 ] [ 32 ] Masuoka und Kollegen stellten 1984 die Erfindung des NOR-Flash-Speichers vor, [ 33 ] und 1987 den NAND-Flash-Speicher. [ 34 ] Toshiba brachte 1987 NAND-Flash-Speicher auf den Markt. [ 35 ] [ 36 ] [ 37 ]

Technologische Entwicklungen und Skaleneffekte haben sogenannteComputer mit sehr großem Speicher (VLM-Computer). [ 37 ]

Volatilitätskategorien

Flüchtiger Speicher

Verschiedene Speichermodule mit unterschiedlichen DRAM-Typen (von oben nach unten): DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM und FPM DRAM

Flüchtiger Speicher ist ein Computerspeicher, der Strom benötigt, um die gespeicherten Informationen zu erhalten. Die meisten modernen flüchtigen Halbleiterspeicher sind entweder statische RAM (SRAM) oder dynamische RAM (DRAM). [ a ] DRAM ist der vorherrschende Speicher in Desktop-Systemen. SRAM wird für den CPU-Cache verwendet . SRAM findet sich auch in kleinen eingebetteten Systemen mit geringem Speicherbedarf.

SRAM behält seinen Inhalt, solange die Stromversorgung angeschlossen ist, und kann eine einfachere Schnittstelle verwenden, benötigt aber üblicherweise sechs Transistoren pro Bit . Dynamisches RAM ist in Bezug auf Schnittstelle und Steuerung komplexer und benötigt regelmäßige Auffrischungszyklen, um Datenverlust zu verhindern. Es verwendet jedoch nur einen Transistor und einen Kondensator pro Bit, wodurch deutlich höhere Speicherdichten und wesentlich geringere Kosten pro Bit erreicht werden können. [ 2 ] [ 23 ] [ 37 ]

Nichtflüchtiger Speicher

Nichtflüchtige Speicher können die gespeicherten Informationen auch ohne Stromversorgung beibehalten. Beispiele für nichtflüchtige Speicher sind Festwertspeicher (ROM ), Flash-Speicher , die meisten Arten magnetischer Computerspeichergeräte (z. B. Festplatten , Disketten und Magnetbänder ), optische Datenträger und frühe Computerspeichermethoden wie Magnettrommeln , Lochstreifen und Lochkarten . [ 37 ]

Zu den in Entwicklung befindlichen nichtflüchtigen Speichertechnologien gehören ferroelektrisches RAM , programmierbare Metallisierungszellen , Spin-Transfer-Torque-Magnet-RAM , SONOS , resistiver Direktzugriffsspeicher , Racetrack-Speicher , Nano-RAM , 3D XPoint und Millipede-Speicher .

Halbflüchtiger Speicher

Eine dritte Speicherkategorie sind semi-flüchtige Speicher . Dieser Begriff beschreibt Speicher, die nach dem Abschalten der Stromversorgung noch eine begrenzte Zeit lang Daten speichern können, diese aber anschließend endgültig verlieren. Ein typisches Ziel bei der Verwendung semi-flüchtiger Speicher ist es, die hohe Leistungsfähigkeit und Langlebigkeit flüchtiger Speicher mit einigen Vorteilen nichtflüchtiger Speicher zu kombinieren.

Beispielsweise unterliegen einige nichtflüchtige Speichertypen beim Schreiben einem Verschleiß. Eine abgenutzte Zelle weist eine erhöhte Flüchtigkeit auf, funktioniert aber ansonsten weiterhin. Häufig beschriebene Datenspeicherorte können daher gezielt auf abgenutzte Schaltkreise ausgerichtet werden. Solange der Speicherort innerhalb einer bestimmten Aufbewahrungszeit aktualisiert wird, bleiben die Daten gültig. Nach einer gewissen Zeit ohne Aktualisierung wird der Wert in einen weniger abgenutzten Schaltkreis mit längerer Aufbewahrungszeit kopiert. Das Schreiben zuerst in den abgenutzten Bereich ermöglicht eine hohe Schreibrate und vermeidet gleichzeitig den Verschleiß der nicht abgenutzten Schaltkreise. [ 38 ]

Ein zweites Beispiel: STT-RAM kann durch den Bau großer Zellen nichtflüchtig gemacht werden. Dies erhöht jedoch die Kosten pro Bit und den Stromverbrauch und verringert die Schreibgeschwindigkeit. Kleine Zellen verbessern Kosten, Stromverbrauch und Geschwindigkeit, führen aber zu einem semi-flüchtigen Verhalten. In manchen Anwendungen lässt sich die erhöhte Flüchtigkeit so handhaben, dass viele Vorteile eines nichtflüchtigen Speichers genutzt werden können, beispielsweise durch Abschalten der Stromzufuhr mit anschließendem Aufwachen, bevor Daten verloren gehen, oder durch Zwischenspeichern von schreibgeschützten Daten und Verwerfen dieser Daten, wenn die Zeit nach dem Abschalten den Schwellenwert für Nichtflüchtigkeit überschreitet. [ 39 ]

Der Begriff „semi-flüchtig“ wird auch verwendet, um semi-flüchtiges Verhalten bei anderen Speichertypen zu beschreiben, beispielsweise bei nvSRAM. Dieses kombiniert SRAM und einen nichtflüchtigen Speicher auf demselben Chip . Hierbei kopiert ein externes Signal Daten vom flüchtigen in den nichtflüchtigen Speicher. Wird die Stromversorgung jedoch vor dem Kopiervorgang unterbrochen, gehen die Daten verloren. Ein weiteres Beispiel ist batteriegepuffertes RAM , das bei Stromausfall eine externe Batterie zur Stromversorgung des Speichers nutzt. Bei längerem Stromausfall kann sich die Batterie entladen, was zu Datenverlust führt. [ 37 ]

Management

Eine korrekte Speicherverwaltung ist für den ordnungsgemäßen Betrieb eines Computersystems unerlässlich. Moderne Betriebssysteme verfügen über komplexe Systeme zur Speicherverwaltung. Fehler in diesem Bereich können zu Bugs oder Leistungseinbußen führen.

Bugs

Unsachgemäße Speicherverwaltung ist eine häufige Ursache für Fehler und Sicherheitslücken, darunter die folgenden Arten:

  • Ein Speicherleck entsteht, wenn ein Programm Speicher vom Betriebssystem anfordert und diesen nach Gebrauch nicht wieder freigibt. Ein solches Programm benötigt nach und nach immer mehr Speicher, bis es schließlich aufgrund des Speichermangels abstürzt.
  • Ein Segmentierungsfehler tritt auf, wenn ein Programm versucht, auf Speicher zuzugreifen, für den es keine Zugriffsberechtigung hat. In der Regel wird ein solches Programm vom Betriebssystem beendet.
  • Ein Pufferüberlauf tritt auf, wenn ein Programm Daten bis zum Ende des ihm zugewiesenen Speicherbereichs schreibt und anschließend weitere Daten in Speicherbereiche schreibt, die für andere Zwecke reserviert sind. Dies kann zu unvorhersehbarem Programmverhalten führen, darunter Speicherzugriffsfehler, falsche Ergebnisse, ein Absturz oder eine Verletzung der Systemsicherheit. Pufferüberläufe bilden daher die Grundlage vieler Software-Schwachstellen und können missbräuchlich ausgenutzt werden.

Virtueller Speicher

Virtueller Speicher ist ein System, bei dem der physische Speicher vom Betriebssystem verwaltet wird, typischerweise mithilfe einer Speichermanagementeinheit (MMU) , die in vielen modernen CPUs integriert ist . Er ermöglicht die Nutzung verschiedener Speichertypen. So können beispielsweise einige Daten im Arbeitsspeicher (RAM) und andere auf der Festplatte (z. B. in einer Auslagerungsdatei ) gespeichert werden, wodurch die Cache-Hierarchie erweitert wird . Dies bietet mehrere Vorteile. Programmierer müssen sich nicht mehr darum kümmern, wo ihre Daten physisch gespeichert sind oder ob der Computer des Benutzers über genügend Speicher verfügt. Das Betriebssystem platziert aktiv genutzte Daten im RAM, der deutlich schneller ist als Festplatten. Reicht der RAM nicht aus, um alle laufenden Programme auszuführen, kann dies dazu führen, dass der Computer mehr Zeit mit dem Verschieben von Daten zwischen RAM und Festplatte verbringt als mit der Ausführung von Aufgaben; dies wird als Thrashing bezeichnet .

Geschützter Speicher

Geschützter Speicher ist ein System, bei dem jedem Programm ein fester Speicherbereich zugewiesen wird, der nicht überschritten werden darf. Versucht ein Programm, fremden Speicher zu verändern, wird es beendet (oder anderweitig eingeschränkt oder umgeleitet). Dadurch stürzt nur das fehlerhafte Programm ab, andere Programme werden durch das Fehlverhalten (ob versehentlich oder absichtlich) nicht beeinträchtigt. Die Verwendung von geschütztem Speicher erhöht die Zuverlässigkeit und Sicherheit eines Computersystems erheblich.

Ohne Speicherschutz kann ein Fehler in einem Programm den Speicher eines anderen Programms verändern. Dadurch läuft das andere Programm mit beschädigtem Speicher, was unvorhersehbare Folgen hat. Ist der Speicher des Betriebssystems beschädigt, kann das gesamte System abstürzen und einen Neustart erforderlich machen. Manchmal verändern Programme absichtlich den Speicher anderer Programme. Dies geschieht beispielsweise durch Viren und Schadsoftware, um Computer zu übernehmen. Auch nützliche Programme, die andere Programme modifizieren sollen – etwa Debugger zum Einfügen von Haltepunkten oder Hooks – können den Speicher verändern .

Siehe auch

Anmerkungen

  1. Zu den weiteren flüchtigen Speichertechnologien, die versucht haben, mit SRAM und DRAM zu konkurrieren oder diese zu ersetzen, gehören Z-RAM und A-RAM .

Referenzen

  1. ^ Read, Jennifer (5. November 2020). „DDR5-Ära beginnt offiziell 2021, während sich der DRAM-Markt derzeit im Übergang zwischen den Generationen befindet, sagt TrendForce“ . EMSNow . Abgerufen am 2. November 2022 .
  2. ^ a b Hemmendinger, David (15. Februar 2016). „Computerspeicher“ . Encyclopedia Britannica . Abgerufen am 16. Oktober 2019 .
  3. ^ AM Turing ; RA Brooker (1952). „1. Allgemeine Bemerkungen zu elektronischen Computern“ . Programmierhandbuch für den Manchester Electronic Computer Mark II . Universität Manchester . Archiviert vom Original am 2. Januar 2014.
  4. ^ "Dokumentation für /proc/sys/vm/" .
  5. ^ „Der MOS-Speichermarkt“ (PDF) . Integrated Circuit Engineering Corporation . Smithsonian Institution . 1997. Archiviert (PDF) vom Original am 25.07.2003 . Abgerufen am 16. Oktober 2019 .
  6. ^ „MOS Memory Market Trends“ (PDF) . Integrated Circuit Engineering Corporation . Smithsonian Institution . 1998. Archiviert (PDF) vom Original am 16.10.2019 . Abgerufen am 16. Oktober 2019 .
  7. ^ „1960 – Demonstration des Metall-Oxid-Halbleiter-Transistors (MOS-Transistor)“ . Die Silizium-Engine . Computer History Museum .
  8. ^ „1953: Der Whirlwind-Computer führt den Kernspeicher ein“ . Computer History Museum . Abgerufen am 2. August 2019 .
  9. ^ a b c d e f „1966: Halbleiter-RAMs erfüllen die Anforderungen an Hochgeschwindigkeitsspeicherung“ . Computer History Museum . Abgerufen am 19. Juni 2019 .
  10. ^ „1953: Transistoren ermöglichen schnelles Speichern | Die Speichermaschine | Computer History Museum“ . www.computerhistory.org . Abgerufen am 14.11.2019 .
  11. ^ Orton, John W. (2009). Halbleiter und die Informationsrevolution: Magische Kristalle, die die IT ermöglichten . Academic Press . S. 104. ISBN 978-0-08-096390-7Die
  12. ^ Solid State Design - Vol. 6 . Horizon House. 1965.
  13. ^ a b c „1970: MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price“ . Computer History Museum . Abgerufen am 29. Juli 2019 .
  14. ^ Wood, J.; Ball, R. (Februar 1965). „Die Verwendung von Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate in digitalen Speichersystemen“. 1965 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers . Band VIII. S.  82–83 . doi : 10.1109/ISSCC.1965.1157606 .
  15. ^ „1968: Silizium-Gate-Technologie für integrierte Schaltungen entwickelt“ . Computer History Museum . Abgerufen am 10. August 2019 .
  16. ^ Critchlow, DL (2007). „Erinnerungen an die MOSFET-Skalierung“. IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter . 12 (1): 19–22 . doi : 10.1109/N-SSC.2007.4785536 .
  17. ^ a b "DRAM" . IBM100 . IBM . 9. August 2017. Abgerufen am 20. September 2019 .
  18. ^ „Datenblatt für den Toshiba „TOSCAL“ BC-1411“ . Old Calculator Web Museum . Archiviert vom Original am 3. Juli 2017. Abgerufen am 8. Mai 2018 .
  19. ^ „Toshiba „Toscal“ BC-1411 Tischrechner“ . Archiviert vom Original am 20.05.2007.
  20. ^ „1966: Halbleiter-RAMs erfüllen die Anforderungen an Hochgeschwindigkeitsspeicherung“ . Computer History Museum .
  21. ^ „Robert Dennard“ . Encyclopedia Britannica . Abgerufen am 8. Juli 2019 .
  22. ^ „Intel: 35 Jahre Innovation (1968–2003)“ (PDF) . Intel. 2003. Archiviert vom Original (PDF) am 4. November 2021. Abgerufen am 26. Juni 2019 .
  23. ^ a b „Der DRAM-Speicher von Robert Dennard“ . history-computer.com . Archiviert vom Original am 20.02.2011.
  24. ^ Lojek, Bo (2007). Geschichte der Halbleitertechnik . Springer Science & Business Media . S.  362–363 . ISBN 9783540342588Der i1103 wurde in einem 6-Masken-Silizium-Gate-P-MOS-Prozess mit minimalen Strukturgrößen von 8 µm gefertigt . Das resultierende Produkt wies eine Speicherzellengröße von 2400 µm und 2 Zellen auf, eine Chipfläche von knapp 10 mm² und wurde für rund 21 US-Dollar verkauft.
  25. ^ „KM48SL2000-7 Datenblatt“ . Samsung . August 1992. Abgerufen am 19. Juni 2019 .
  26. ^ „Electronic Design“ . Electronic Design . 41 ( 15–21 ). Hayden Publishing Company. 1993. Der erste kommerzielle synchrone DRAM, der Samsung 16-Mbit KM48SL2000, verwendet eine Single-Bank-Architektur, die es Systemdesignern ermöglicht, problemlos von asynchronen zu synchronen Systemen zu wechseln.
  27. ^ Han-Way Huang (5. Dezember 2008). Eingebettete Systementwicklung mit C805 . Cengage Learning. S. 22. ISBN 978-1-111-81079-5Archiviert vom Original am 27. April 2018 .
  28. ^ Marie-Aude Aufaure; Esteban Zimányi (17. Januar 2013). Business Intelligence: Zweite Europäische Sommerschule, eBISS 2012, Brüssel, Belgien, 15.–21. Juli 2012, Tutorial Lectures . Springer. S. 136. ISBN 978-3-642-36318-4Archiviert vom Original am 27. April 2018 .
  29. ^ „1971: Wiederverwendbarer Halbleiter-ROM eingeführt“ . Computer History Museum . Abgerufen am 19. Juni 2019 .
  30. ^ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Nagai, K. (1972). „Elektrisch reprogrammierbarer nichtflüchtiger Halbleiterspeicher“. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 7 (5): 369–375 . Bibcode : 1972IJSSC...7..369T . doi : 10.1109/JSSC.1972.1052895 . ISSN 0018-9200 . 
  31. ^ Fulford, Benjamin (24. Juni 2002). „Unbesungener Held“ . Forbes . Archiviert vom Original am 3. März 2008. Abgerufen am 18. März 2008 .
  32. ^ US 4531203  Fujio Masuoka
  33. ^ „Toshiba: Erfinder des Flash-Speichers“ . Toshiba . Abgerufen am 20. Juni 2019 .
  34. ^ Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). „1987 International Electron Devices Meeting“. Electron Devices Meeting, 1987 International . IEDM 1987. IEEE . S.  552–555 . doi : 10.1109/IEDM.1987.191485 .
  35. ^ „1987: Toshiba bringt NAND-Flash auf den Markt“ . eWeek . 11. April 2012. Abgerufen am 20. Juni 2019 .
  36. ^ „1971: Wiederverwendbarer Halbleiter-ROM eingeführt“ . Computer History Museum . Abgerufen am 19. Juni 2019 .
  37. ^ a b c d e Stanek, William R. (2009). Windows Server 2008 Inside Out . O'Reilly Media, Inc. S. 1520. ISBN 978-0-7356-3806-8Archiviert vom Original am 27.01.2013 . Abgerufen am 20.08.2012 . [...] Windows Server Enterprise unterstützt Clustering mit bis zu acht Knoten und sehr großen Speicherkonfigurationen (VLM) von bis zu 32 GB auf 32-Bit-Systemen und 2 TB auf 64-Bit-Systemen.
  38. ^ Montierth; Briggs; Keithley. „Semi-volatile NAND flash memory“ . Abgerufen am 20. Mai 2018 .
  39. ^ Keppel; Naeimi; Nasrullah. „Verfahren und Vorrichtung zur Verwaltung eines Spin-Transfer-Torque-Speichers“ . Google Patents . Abgerufen am 20. Mai 2018 .

Weiterführende Literatur

  • Miller, Stephen W. (1977), Speicher- und Datenspeichertechnologie , Montvale: AFIPS Press
  • Speicher- und Datenspeichertechnologie , Alexandria, Virginia: Time Life Books, 1988