MOSFETs

Ein Bildsensor dient der Bildgebung . Er erfasst und übermittelt Informationen zur Bilderzeugung .

Ein Feldeffekttransistor-basierter Biosensor , auch bekannt als Biosensor-Feldeffekttransistor ( Bio-FET oder BioFET ), Feldeffekt-Biosensor ( FEB ) oder Biosensor-MOSFET , ist ein Feldeffekttransistor (basierend auf der

Ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate ( IGBT ) ist ein dreipoliges Leistungshalbleiterbauelement, das primär als elektronischer Schalter dient.

BSIM (Berkeley Short-Channel IGFET Model) bezeichnet eine Familie von MOSFET -Transistormodellen für den Entwurf integrierter Schaltungen.

Ein ChemFET ist ein chemisch-sensitiver Feldeffekttransistor , der als Sensor zur Messung chemischer Konzentrationen in Lösungen eingesetzt wird .

Der Arbeitsspeicher eines Computers speichert Informationen wie Daten und Programme zur unmittelbaren Verwendung im Computer ; die vom Computer abgerufenen Anweisungen und die von diesen Anweisungen abgerufenen und

In der Halbleiterelektronik ist die Dennard-Skalierung , auch bekannt als MOSFET-Skalierung , ein Skalierungsgesetz , das besagt, dass die Leistungsdichte von Transistoren bei Verkleinerung konstant bleibt, sodass der

Ein DNA-Feldeffekttransistor ( DNAFET ) ist ein Feldeffekttransistor , der den Feldeffekt aufgrund der Teilladungen von DNA- Molekülen als Biosensor nutzt .

Ein dreidimensionaler integrierter Schaltkreis ( 3D-IC ) ist ein MOS-IC (Metall-Oxid-Halbleiter -Schaltkreis ), der durch Stapeln von bis zu 16 oder mehr ICs und deren vertikale Verbindung, beispielsweise mittels

In der Festkörperphysik beschreibt die Elektronenbeweglichkeit , wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann , wenn es von einem elektrischen Feld angezogen oder abgestoßen wird.

Ein Fin-Feldeffekttransistor ( FinFET ) ist ein Multigate-Bauelement , genauer gesagt ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter -Feldeffekttransistor ), der auf einem Substrat aufgebaut ist , bei dem das Gate an zwei, drei oder

The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated,

Frank Marion Wanlass (17. Mai 1933 in Thatcher , Arizona – 9. September 2010 in Santa Clara , Kalifornien ) war ein US-amerikanischer Elektroingenieur.

Das Gate-Oxid ist die dielektrische Schicht, die den Gate -Anschluss eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von den darunterliegenden Source- und Drain-Anschlüssen sowie dem leitenden Kanal trennt,

Grounded-Gate - NMOS- Transistoren , kurz ggNMOS , sind ESD -Schutzbauelemente, die in CMOS- integrierten Schaltungen (ICs) eingesetzt werden.

Die Halbleiterfertigung ist der Prozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen , typischerweise integrierten Schaltungen (ICs) wie Mikroprozessoren , Mikrocontrollern und Speichern (z. B. RAM und Flash-Speicher ).

Ein ionensensitiver Feldeffekttransistor ( ISFET ) ist ein Feldeffekttransistor zur Messung von Ionenkonzentrationen in Lösungen. Ändert sich die Ionenkonzentration (z. B.

Die Kanallängenmodulation ( CLM ) ist ein Effekt in Feldeffekttransistoren , bei dem sich die Länge des invertierten Kanalbereichs mit zunehmender Drain-Vorspannung bei hohen Drain-Vorspannungen verkürzt.

Ein CCD- Sensor ( Charge-Coupled Device ) ist ein integrierter Schaltkreis mit einer Anordnung von gekoppelten Kondensatoren .

LDMOS ( lateral diffundierter Metall-Oxid-Halbleiter ) ist ein planarer, doppelt diffundierter MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), der in Verstärkern wie Mikrowellen- , HF- und

Ein Leistungshalbleiterbauelement ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik (z. B. in einem Schaltnetzteil ) als Schalter oder Gleichrichter eingesetzt wird .

Aufgeführt sind zahlreiche Beispiele für Halbleitermaßstab für verschiedene Halbleiterfertigungsprozessknoten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET oder MOS-Transistor) .

Ein Metallgate ist im Kontext eines lateralen Metall-Oxid-Halbleiter- (MOS)-Strukturaufbaus die Gate-Elektrode, die durch ein Oxid vom Kanal des Transistors getrennt ist – das Gate-Material besteht aus einem Metall.

In der Elektronik ist der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ( MOSFET , MOS-FET , MOS FET oder MOS-Transistor ) ein Feldeffekttransistor (FET), der üblicherweise durch kontrollierte Oxidation von Silizium

Ein Multigate-Bauelement , auch Multigate-MOSFET oder Multigate-Feldeffekttransistor ( MuGFET ) genannt, ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit mehreren Gates .

NMOS- oder nMOS- Logik (von N-Typ Metall-Oxid-Halbleiter) verwendet n-Typ (-) MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter -Feldeffekttransistoren ) zur Realisierung von Logikgattern und anderen digitalen Schaltungen .

In integrierten Schaltungen ist die Depletion-Load-NMOS- Logikfamilie eine Form digitaler Logik, die im Gegensatz zu früheren NMOS -Logikfamilien (n-Typ -Metall-Oxid-Halbleiter ), die mehrere Versorgungsspannungen

Passivierung bezeichnet in der physikalischen Chemie und im Ingenieurwesen die Beschichtung eines Materials, wodurch es „passiv“ wird, d. h. weniger anfällig für Umwelteinflüsse oder Korrosion.

PMOS- oder pMOS- Logik (p-Kanal -Metall-Oxid-Halbleiter ) ist eine Familie digitaler Schaltungen, die auf p-Kanal - MOSFETs ( Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus ) basieren.

Der Polysilizium-Verarmungseffekt ist ein Phänomen, bei dem unerwünschte Schwankungen der Schwellenspannung von MOSFET- Bauelementen mit Polysilizium als Gate-Material auftreten, was zu unvorhersehbarem Verhalten der

Die Schwellenspannung eines Feldeffekttransistors (FET) , üblicherweise als V _th oder V_GS(th) abgekürzt, ist die minimale Gate-Source- Spannung (V_GS ), die erforderlich ist, um einen

In der Halbleiterfertigungstechnologie bezeichnet man als selbstjustierendes Gate ein Herstellungsverfahren für Transistoren , bei dem die Gate -Elektrode eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) als

Halbleiterspeicher sind digitale elektronische Halbleiterbauelemente zur Speicherung digitaler Daten , beispielsweise im Computerspeicher .

SONOS , kurz für „Silizium-Oxid-Nitrid-Oxid-Silizium“, genauer „ polykristallines Silizium – Siliziumdioxid – Siliziumnitrid – Siliziumdioxid – Silizium “, :121 ist eine Querschnittsstruktur eines MOSFET

Die Speicherzelle ist der grundlegende Baustein des Computerspeichers . Sie ist ein Bauteil, beispielsweise eine elektronische Schaltung , die ein Bit binärer Information speichert.

Bei Feldeffekttransistoren (FETs) sind der Verarmungsmodus und der Anreicherungsmodus die beiden wichtigsten Transistortypen, die sich danach richten, ob sich der Transistor bei einer Gate-Source-Spannung von Null im