In der Informatik ist die serielle Präsenzerkennung ( SPD ) ein standardisiertes Verfahren zum automatischen Zugriff auf Informationen über ein Speichermodul . Frühere 72-polige SIMMs enthielten fünf Pins, die fünf Bit paralleler Präsenzerkennungsdaten (PPD) lieferten, aber der 168-polige DIMM- Standard wurde auf serielle Präsenzerkennung umgestellt, um mehr Informationen zu kodieren. [ 1 ]

Beim Einschalten führt ein moderner Computer zunächst einen Power-On Self-Test (POST) durch. Seit Mitte der 1990er-Jahre beinhaltet dieser Prozess die automatische Konfiguration der vorhandenen Hardware. SPD (Speed ​​Pre-Integrated Memory) ist eine Speicherfunktion, die es dem Computer ermöglicht, den verfügbaren Speicher und die entsprechenden Speicherzugriffszeiten zu ermitteln.

Manche Computer passen sich Hardwareänderungen vollautomatisch an. In den meisten Fällen gibt es ein optionales Verfahren, um auf die BIOS- Parameter zuzugreifen und Einstellungen einzusehen und gegebenenfalls zu ändern. Es ist unter Umständen möglich, die Verwendung der SPD-Daten des Arbeitsspeichers zu steuern – Einstellungen auszuwählen, Speichertimings gezielt anzupassen oder die SPD-Daten sogar vollständig zu überschreiben (siehe Übertakten ).

Gespeicherte Informationen

Damit ein Speichermodul SPD unterstützt, schreiben die JEDEC -Standards vor, dass bestimmte Parameter in den unteren 128 Bytes (oder mehr, je nach Generation) eines EEPROMs auf dem Speichermodul gespeichert sein müssen. Diese Bytes enthalten Timing-Parameter, Hersteller, Seriennummer und weitere nützliche Informationen über das Modul. Geräte, die den Speicher nutzen, ermitteln automatisch wichtige Parameter des Moduls, indem sie diese Informationen auslesen. Beispielsweise können die SPD-Daten eines SDRAM- Moduls Informationen über die CAS-Latenz liefern , sodass das System diese ohne Benutzereingriff korrekt einstellen kann.

Die Firmware des SPD-EEPROMs wird über SMBus , eine Variante des I²C - Protokolls , angesteuert . Dadurch reduziert sich die Anzahl der Kommunikationspins am Modul auf nur zwei: ein Taktsignal und ein Datensignal. Das EEPROM teilt sich die Masse mit dem RAM, verfügt über einen eigenen Stromversorgungspin und drei zusätzliche Pins (SA0–2) zur Steckplatzidentifizierung, mit denen dem EEPROM eine eindeutige Adresse im Bereich 0x50–0x57 zugewiesen wird. Die Kommunikationsleitungen können nicht nur von bis zu acht Speichermodulen gemeinsam genutzt werden, sondern derselbe SMBus wird auch häufig auf Motherboards für Systemüberwachungsaufgaben wie das Auslesen von Versorgungsspannungen, CPU- Temperaturen und Lüfterdrehzahlen verwendet.

Vor der Einführung von SPD wurden Speicherchips mittels paralleler Präsenzerkennung (PPD) identifiziert. PPD nutzte für jedes Informationsbit einen separaten Pin, was bedeutete, dass aufgrund des begrenzten Platzes für Pins nur die Geschwindigkeit und Dichte des Speichermoduls gespeichert werden konnten.

SDR SDRAM

Speicherbaustein auf einem SDRAM- Modul, der SPD- Daten enthält (rot eingekreist)

Die erste SPD-Spezifikation wurde von JEDEC herausgegeben und von Intel im Rahmen der 1998 eingeführten PC100- Speicherspezifikation verschärft. [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] Die meisten Werte sind in binärkodierter Dezimalform angegeben . Das höchstwertige Nibble kann Werte von 10 bis 15 enthalten und in einigen Fällen auch höhere Werte. In solchen Fällen werden die Kodierungen für 1, 2 und 3 verwendet, um 16, 17 und 18 zu kodieren. Ein höchstwertiges Nibble von 0 ist für die Darstellung von „undefiniert“ reserviert.

Der SPD-ROM definiert bis zu drei DRAM-Timings für drei CAS-Latenzen, die durch gesetzte Bits in Byte 18 spezifiziert werden. Zuerst kommt die höchste CAS-Latenz (schnellster Takt), dann zwei niedrigere CAS-Latenzen mit progressiv niedrigeren Taktraten.

SPD-Inhalte für SDR SDRAM [ 5 ]
Byte Bisschen Anmerkungen
(Dez.)(verhexen.) 76543210
00x00Anzahl der vorhandenen BytesTypischerweise 128
10x01log 2 (Größe des SPD-EEPROMs)Typischerweise 8 (256 Bytes)
20x02Grundlegender Speichertyp (4: SPD SDRAM)
30x03Bank 2 Zeilenadressbits (0–15)Bank 1 Zeilenadressbits (1–15)Bank 2 ist 0, wenn sie mit Bank 1 übereinstimmt.
40x04Bank 2 Spaltenadressbits (0–15)Adressbits der Spalte Bank 1 (1–15)Bank 2 ist 0, wenn sie mit Bank 1 übereinstimmt.
50x05Anzahl der RAM-Bänke auf dem Modul (1–255)Üblicherweise 1 oder 2
60x06Moduldatenbreite niedrigstes ByteÜblicherweise 64 oder 72 für ECC-DIMMs
70x07Moduldatenbreite High Byte0, es sei denn, die Breite beträgt mindestens 256 Bit
80x08Schnittstellenspannungspegel dieser Baugruppe (nicht identisch mit der Versorgungsspannung Vcc) (0–4 )Dekodiert durch Tabellennachschlagen
90x09Nanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Taktzykluszeit bei höchster CAS-Latenz
100x0aNanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)SDRAM-Zugriffszeit vom Taktgeber (t AC )
110x0bDIMM-Konfigurationstyp (0–2): Nicht-ECC, Parität, ECCTabellensuche
120x0cSelbstAktualisierungsperiode (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 kHzAktualisierungsanforderungen
130x0dBank 2 2×Breite des primären SDRAM von Bank 1 (1–127, üblicherweise 8)Breite der SDRAM-Datenbausteine ​​von Bank 1. Bank 2 kann die gleiche Breite haben oder die doppelte Breite, wenn Bit 7 gesetzt ist.
140x0eBank 2 2×Bank 1 ECC SDRAM Breite (0–127)Breite der ECC/Paritäts-SDRAM-Bausteine ​​von Bank 1. Bank 2 kann die gleiche Breite haben oder die doppelte Breite, wenn Bit 7 gesetzt ist.
150x0fTaktverzögerung für zufällige SpaltenlesungenTypischerweise 1
160x10Seite———8421Unterstützte Burst-Längen (Bitmap)
170x11Bänke pro SDRAM-Baustein (1–255)Typischerweise 2 oder 4
180x12—7654321Unterstützte CAS -Latenzen (Bitmap)
190x13—6543210Unterstützte CS- Latenzen (Bitmap)
200x14—6543210Unterstützte WE -Latenzen (Bitmap)
210x15—ÜberflüssigDifferenzialuhrRegistrierte DatenGepufferte DatenOn-Card PLLRegistrierte Adresse.Gepufferte Adresse.Speichermodul-Funktions-Bitmap
220x16——Toleranz der oberen Versorgungsspannung ( Vcc )Niedrigere Vcc - Toleranz (Versorgungsspannung)Schreiben/1 Lese-BurstAlle vorladenAutomatische VorladungFrühe RAS- VorladungSpeicherchip-Funktion unterstützt Bitmap
230x17Nanosekunden (4–18)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Taktzykluszeit bei mittlerer CAS-Latenz
240x18Nanosekunden (4–18)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Datenzugriffszeit von der Uhr (t AC )
250x19Nanosekunden (1–63)0,25 ns (0–3: 0,00–0,75)Taktzykluszeit bei kurzer CAS-Latenz.
260x1aNanosekunden (1–63)0,25 ns (0–3: 0,00–0,75)Datenzugriffszeit von der Uhr (t AC )
270x1bNanosekunden (1–255)Minimale Reihenvorladezeit (t RP )
280x1cNanosekunden (1–255)Minimale Zeilenaktiv-Zeilenaktiv-Verzögerung (t RRD )
290x1dNanosekunden (1–255)Minimale Verzögerung zwischen RAS und CAS (t RCD )
300x1eNanosekunden (1–255)Minimale Aktivierungs- bis Vorladezeit (t RAS )
310x1f512 MiB256 MiB128 MiB64 MiB32 MiB16 MiB8 MiB4 MiBModulbankdichte (Bitmap). Zwei Bits werden gesetzt, wenn die Bänke unterschiedliche Größen haben.
320x20Vorzeichen (1: −)Nanosekunden (0–7)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Einrichtungszeit für Adressen/Befehle von der Uhrzeit
330x21Vorzeichen (1: −)Nanosekunden (0–7)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Haltezeit für Adressen/Befehle nach dem Umschalten
340x22Vorzeichen (1: −)Nanosekunden (0–7)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Dateneingabe-Setup-Zeit von der Uhr
350x23Vorzeichen (1: −)Nanosekunden (0–7)Zehntel Nanosekunden (0–9: 0,0–0,9)Dateneingabe-Haltezeit nach dem Takt
36–610x24–0x3d Reserviert Für die zukünftige Standardisierung
620x3eHauptrevision (0–9)Geringfügige Überarbeitung (0–9)SPD-Revisionsstufe; z. B. 1.2
630x3fPrüfsummeSumme der Bytes 0–62, nicht negiert
64–710x40–47Hersteller-JEDEC-ID.Gespeichert im Little-Endian-Format, mit nachfolgenden Nullen aufgefüllt
720x48Standort der ModulfertigungHerstellerspezifischer Code
73–900x49–0x5aModul-TeilenummerASCII, mit Leerzeichen aufgefüllt
91–920x5b–0x5cModulrevisionscodeHerstellerspezifischer Code
930x5dJahrzehnte (0–9: 0–90)Jahre (0–9)Herstellungsdatum (JJWW)
940x5eZehnerwochen (0–5: 0–50)Wochen (0–9)
95–980x5f–0x62ModulseriennummerHerstellerspezifischer Code
99–1250x63–0x7fHerstellerspezifische DatenKönnte ein verbessertes Leistungsprofil sein
1260x7e0x66 [ sic ] für 66 MHz, 0x64 für 100 MHzIntel-Frequenzunterstützung
1270x7fCLK0CLK1CLK3CLK390/100 °CCL3CL2Gleichzeitiger APIntel-Funktionsbitmap

DDR SDRAM

Das DDR-DIMM-SPD-Format ist eine Erweiterung des SDR-SDRAM-Formats. Hauptsächlich werden die Parameterbereiche neu skaliert, um höhere Geschwindigkeiten zu ermöglichen.

SPD-Inhalte für DDR SDRAM [ 6 ]
Byte Bisschen Anmerkungen
(Dez.)(verhexen.) 76543210
00x00Anzahl der geschriebenen BytesTypischerweise 128
10x01log 2 (Größe des SPD-EEPROMs)Typischerweise 8 (256 Bytes)
20x02Grundlegender Speichertyp (7 = DDR SDRAM)
30x03Bank 2 Zeilenadressbits (0–15)Bank 1 Zeilenadressbits (1–15)Bank 2 ist 0, wenn sie mit Bank 1 übereinstimmt.
40x04Bank 2 Spaltenadressbits (0–15)Adressbits der Spalte Bank 1 (1–15)Bank 2 ist 0, wenn sie mit Bank 1 übereinstimmt.
50x05Anzahl der RAM-Bänke auf dem Modul (1–255)Üblicherweise 1 oder 2
60x06Moduldatenbreite niedrigstes ByteÜblicherweise 64 oder 72 für ECC-DIMMs
70x07Moduldatenbreite High Byte0, es sei denn, die Breite beträgt mindestens 256 Bit
80x08Schnittstellenspannungspegel dieser Baugruppe (nicht identisch mit der Versorgungsspannung Vcc) (0–5 )Dekodiert durch Tabellennachschlagen
90x09Nanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Taktzykluszeit bei höchster CAS-Latenz.
100x0aZehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)SDRAM-Zugriffszeit vom Taktgeber (t AC )
110x0bDIMM-Konfigurationstyp (0–2): Nicht-ECC, Parität, ECCTabellensuche
120x0cSelbstAktualisierungsperiode (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 kHzAktualisierungsanforderungen
130x0dBank 2 2×Bank 1 primäre SDRAM-Breite (1–127)Breite der SDRAM-Datenbausteine ​​von Bank 1. Bank 2 kann die gleiche Breite haben oder die doppelte Breite, wenn Bit 7 gesetzt ist.
140x0eBank 2 2×Bank 1 ECC SDRAM Breite (0–127)Breite der ECC/Paritäts-SDRAM-Bausteine ​​von Bank 1. Bank 2 kann die gleiche Breite haben oder die doppelte Breite, wenn Bit 7 gesetzt ist.
150x0fTaktverzögerung für zufällige SpaltenlesungenTypischerweise 1
160x10Seite———8421Unterstützte Burst-Längen (Bitmap)
170x11Bänke pro SDRAM-Baustein (1–255)Typischerweise 4
180x12—43,532,521,51Unterstützte CAS -Latenzen (Bitmap)
190x13—6543210Unterstützte CS- Latenzen (Bitmap)
200x14—6543210Unterstützte WE -Latenzen (Bitmap)
210x15—XDifferenztaktExterne Aktivierung des FET-SchaltersFET-Schalter auf der Platine aktivierenOn-Card PLLEingetragenGepuffertSpeichermodul-Funktions-Bitmap
220x16Schneller APGleichzeitige automatische VorladungToleranz der oberen Versorgungsspannung ( Vcc )Niedrigere Vcc - Toleranz (Versorgungsspannung)———Beinhaltet einen schwachen FahrerSpeicherchip-Funktions-Bitmap
230x17Nanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Taktzykluszeit bei mittlerer CAS-Latenz.
240x18Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Datenzugriffszeit von der Uhr (t AC )
250x19Nanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Taktzykluszeit bei kurzer CAS-Latenz.
260x1aZehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Datenzugriffszeit von der Uhr (t AC )
270x1bNanosekunden (1–63)0,25 ns (0–0,75)Minimale Reihenvorladezeit (t RP )
280x1cNanosekunden (1–63)0,25 ns (0–0,75)Minimale Zeilenaktiv-Zeilenaktiv-Verzögerung (t RRD )
290x1dNanosekunden (1–63)0,25 ns (0–0,75)Minimale Verzögerung zwischen RAS und CAS (t RCD )
300x1eNanosekunden (1–255)Minimale Aktivierungs- bis Vorladezeit (t RAS )
310x1f512 MiB256 MiB128 MiB64 MiB32 MiB16 MiB / 4 GiB8 MiB / 2 GiB4 MiB / 1 GiBModulbankdichte (Bitmap). Zwei Bits werden gesetzt, wenn die Bänke unterschiedliche Größen haben.
320x20Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Einrichtungszeit für Adressen/Befehle von der Uhrzeit
330x21Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Haltezeit für Adressen/Befehle nach dem Umschalten
340x22Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Dateneingabe-Setup-Zeit von der Uhr
350x23Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Dateneingabe-Haltezeit nach dem Takt
36–40 0x24–0x28Reserviert Informationen zu Obermengen
410x29Nanosekunden (1–255)Minimale Zeit bis zur Aktivierung/Aktualisierung (t RC )
420x2aNanosekunden (1–255)Minimale Aktualisierungszeit bis zur Aktivierung/Aktualisierung (t RFC )
430x2bNanosekunden (1–63 oder 255: kein Maximum)0,25 ns (0–0,75)Maximale Taktzykluszeit (t CK max.)
440x2cHundertstel Nanosekunden (0,01–2,55)Maximale Abweichung, DQS zu beliebiger DQ. (t DQSQ max.)
450x2dZehntel Nanosekunden (0,0–1,2)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)Lesedaten halten Schiefefaktor (t QHS )
460x2e Reserviert Für die zukünftige Standardisierung
470x2f—HöheHöhe des DIMM-Moduls, Tabellensuche
48–610x30–0x3d Reserviert Für die zukünftige Standardisierung
620x3eHauptrevision (0–9)Geringfügige Überarbeitung (0–9)SPD-Revisionsstufe, 0.0 oder 1.0
630x3fPrüfsummeSumme der Bytes 0–62, nicht negiert
64–710x40–47Hersteller-JEDEC-ID.Gespeichert im Little-Endian-Format, mit nachfolgenden Nullen aufgefüllt
720x48Standort der ModulfertigungHerstellerspezifischer Code
73–900x49–0x5aModul-TeilenummerASCII, mit Leerzeichen aufgefüllt
91–920x5b–0x5cModulrevisionscodeHerstellerspezifischer Code
930x5dJahrzehnte (0–90)Jahre (0–9)Herstellungsdatum (JJWW)
940x5eZehn Wochen (0–50)Wochen (0–9)
95–980x5f–0x62ModulseriennummerHerstellerspezifischer Code
99–1270x63–0x7fHerstellerspezifische DatenKönnte ein verbessertes Leistungsprofil sein

DDR2 SDRAM

Der DDR2-SPD-Standard bringt einige Änderungen mit sich, ist aber im Großen und Ganzen mit dem oben genannten Standard vergleichbar. Eine bemerkenswerte Streichung ist die verwirrende und wenig genutzte Unterstützung für DIMMs mit zwei Ranks unterschiedlicher Größe.

Für die Zykluszeitfelder (Bytes 9, 23, 25 und 49), die im BCD-Format kodiert sind , sind einige zusätzliche Kodierungen für die Zehntelstelle definiert, um einige gängige Zeitangaben exakt darzustellen:

DDR2 BCD-Erweiterungen
VerhexenBinärBedeutung
A10100,25 ( 1 ⁄ 4 )
B10110,33 ( 1 ⁄ 3 )
C11000,66 ( 2 ⁄ 3 )
D11010,75 ( 3 ⁄ 4 )
E11100,875 ( 7 ⁄ 8 , Nvidia XMP-Erweiterung)
F1111Reserviert
SPD-Inhalte für DDR2 SDRAM [ 7 ]
Byte Bisschen Anmerkungen
DezemberVerhexen76543210
00x00Anzahl der geschriebenen BytesTypischerweise 128
10x01log 2 (Größe des SPD-EEPROMs)Typischerweise 8 (256 Bytes)
20x02Grundlegender Speichertyp (8 = DDR2 SDRAM)
30x03ReserviertZeilenadressbits (1–15)
40x04ReserviertSpaltenadressbits (1–15)
50x05Vertikale HöheStapel?ConC?Ränge−1 (1–8)Üblicherweise 0 oder 1, was 1 oder 2 bedeutet.
60x06ModuldatenbreiteÜblicherweise 64 oder 72 für ECC-DIMMs
70x07Reserviert
80x08Schnittstellenspannungspegel dieser Baugruppe (nicht identisch mit der Versorgungsspannung Vcc) (0–5 )Dekodiert durch Tabellennachschlagetabelle. Üblicherweise 5 = SSTL 1,8 V
90x09Nanosekunden (0–15)Zehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Taktzykluszeit bei höchster CAS-Latenz.
100x0aZehntel Nanosekunden (0,0–0,9)Hundertstel Nanosekunden (0,00–0,09)SDRAM-Zugriffszeit vom Taktgeber (t AC )
110x0bDIMM-Konfigurationstyp (0–2): Nicht-ECC, Parität, ECCTabellensuche
120x0cSelbstAktualisierungsperiode (0–5): 64, 256, 128, 32, 16, 8 kHzAktualisierungsanforderungen
130x0dPrimäre SDRAM-Breite (1–255)Üblicherweise 8 (Modul aus ×8 Teilen zusammengesetzt) ​​oder 16
140x0eECC SDRAM Breite (0–255)Breite der ECC/Paritäts-SDRAM-Blöcke. Üblicherweise 0 oder 8.
150x0fReserviert
160x10————84——Unterstützte Burst-Längen (Bitmap)
170x11Bänke pro SDRAM-Baustein (1–255)Typischerweise 4 oder 8
180x12765432——Unterstützte CAS -Latenzen (Bitmap)
190x13Reserviert
200x14——Mini-UDIMMMini-RDIMMMicro-DIMMSO-DIMMUDIMMRDIMMDIMM-Typ dieser Baugruppe (Bitmap)
210x15—Das Modul ist eine Analysesonde.—Externe Aktivierung des FET-Schalters————Memory module feature bitmap
220x16———————Includes weak driverMemory chip feature bitmap
230x17Nanoseconds (0–15)Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Clock cycle time at medium CAS latency.
240x18Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Data access time from clock (tAC)
250x19Nanoseconds (0–15)Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Clock cycle time at short CAS latency.
260x1aTenths of nanoseconds (0.0–0.9)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Data access time from clock (tAC)
270x1bNanoseconds (1–63)1/4 ns (0–0.75)Minimum row precharge time (tRP)
280x1cNanoseconds (1–63)1/4 ns (0–0.75)Minimum row active–row active delay (tRRD)
290x1dNanoseconds (1–63)1/4 ns (0–0.75)Minimum RAS to CAS delay (tRCD)
300x1eNanoseconds (1–255)Minimum active to precharge time (tRAS)
310x1f512 MiB256 MiB128 MiB16 GiB8 GiB4 GiB2 GiB1 GiBSize of each rank (bitmap).
320x20Tenths of nanoseconds (0.0–1.2)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Address/command setup time from clock
330x21Tenths of nanoseconds (0.0–1.2)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Address/command hold time after clock
340x22Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Data input setup time from strobe
350x23Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Hundredths of nanoseconds (0.00–0.09)Data input hold time after strobe
360x24Nanoseconds (1–63)0.25 ns (0–0.75)Minimum write recovery time (tWR)
370x25Nanoseconds (1–63)0.25 ns (0–0.75)Internal write to read command delay (tWTR)
380x26Nanoseconds (1–63)0.25 ns (0–0.75)Internal read to precharge command delay (tRTP)
390x27ReservedReserved for "memory analysis probe characteristics"
400x28—tRC fractional ns (0–5):0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75tRFC fractional ns (0–5):0, 0.25, 0.33, 0.5, 0.66, 0.75tRFC + 256 nsExtension of bytes 41 and 42.
410x29Nanoseconds (1–255)Minimum active to active/refresh time (tRC)
420x2aNanoseconds (1–255)Minimum refresh to active/refresh time (tRFC)
430x2bNanoseconds (0–15)Tenths of nanoseconds (0.0–0.9)Maximum clock cycle time (tCK max)
440x2cHundredths of nanoseconds (0.01–2.55)Maximum skew, DQS to any DQ. (tDQSQ max)
450x2dHundredths of nanoseconds (0.01–2.55)Read data hold skew factor (tQHS)
460x2eMicroseconds (1–255)PLL relock time
47–610x2f–0x3dReservedFor future standardization.
620x3eMajor revision (0–9)Minor revision (0.0–0.9)SPD revision level, usually 1.0
630x3fChecksumSum of bytes 0–62, not negated
64–710x40–47Manufacturer JEDEC IDStored little-endian, trailing zero-pad
720x48Module manufacturing locationVendor-specific code
73–900x49–0x5aModule part numberASCII, space-padded (limited to (,-,), A–Z, a–z, 0–9, space)
91–920x5b–0x5cModule revision codeVendor-specific code
930x5dYears since 2000 (0–255)Manufacturing date (YYWW)
940x5eWeeks (1–52)
95–980x5f–0x62Module serial numberVendor-specific code
99–1270x63–0x7fManufacturer-specific dataCould be enhanced performance profile

DDR3 SDRAM

Der DDR3-SDRAM-Standard überarbeitet und vereinfacht das SPD-Inhaltslayout grundlegend. Anstelle mehrerer BCD-kodierter Nanosekundenfelder werden einige „Zeitbasis“-Einheiten hochpräzise spezifiziert, und verschiedene Timing-Parameter werden als Vielfache dieser Basiseinheit kodiert. [ 8 ] Darüber hinaus wurde die Praxis, unterschiedliche Zeitwerte abhängig von der CAS-Latenz anzugeben, aufgegeben; es gibt nun nur noch einen einzigen Satz von Timing-Parametern.

Revision 1.1 ermöglicht es, einige Parameter als „mittlere Zeitbasis“ plus eine (vorzeichenbehaftete, −128 + 127) „feine Zeitbasis“-Korrektur anzugeben. Die mittlere Zeitbasis beträgt üblicherweise 1/8 ns (125 ps), die feine Zeitbasis 1, 2,5 oder 5 ps. Aus Kompatibilitätsgründen mit früheren Versionen, denen diese Korrektur fehlt, wird der Wert der mittleren Zeitbasis in der Regel aufgerundet und die Korrektur negativ. Folgende Werte funktionieren auf diese Weise:

DDR3 SPD Zweiteilige Timing-Parameter
MTB ByteFTB-ByteWert
1234t CK min, minimale Taktperiode
1635t AA min, minimale CAS-Latenzzeit
1836t RCD min, minimale Verzögerung von RAS# zu CAS#
2037t RP min, minimale Zeilenvorladeverzögerung
21, 2338t RC min, minimale Verzögerung zwischen aktiver und aktiver/Vorladeverzögerung
SPD-Inhalte für DDR3 SDRAM [ 9 ] [ 10 ]
Byte Bisschen Anmerkungen
DezemberVerhexen76543210
00x00Seriennummer von der CRC ausschließenSPD-Bytes insgesamt (undef/256)Verwendete SPD-Bytes (undef/128/176/256)
10x01SPD grundlegend überarbeitetSPD geringfügige Überarbeitung1.0, 1.1, 1.2 oder 1.3
20x02Grundlegender Speichertyp (11 = DDR3 SDRAM)RAM-Chiptypen
30x03ReserviertModultypArt des Moduls; z. B. 2 = ungepuffertes DIMM, 3 = SO-DIMM, 11 = LRDIMM
40x04N / ABankadressenbits−3log 2 (Bits pro Chip)−28Null bedeutet 8 Banken, 256 Mibit.
50x05N / AZeilenadressbits −12Spaltenadressenbits−9
60x06Reserviert1,25 V1,35 VNicht 1,5 VUnterstützte Modulspannungen. Standardwert: 1,5 V.
70x07N / ARang−1log 2 (I/O-Bits/Chip)−2Modulorganisation
80x08N / AECC-Bits (001=8)log 2 (Datenbits)−30x03 für 64-Bit, nicht-ECC DIMM.
90x09Dividend, Pikosekunden (1–15)Teiler, Pikosekunden (1–15)Feine Zeitbasis, Dividende/Divisor
100x0aDividend, Nanosekunden (1–255)Mittlere Laufzeit, Dividend/Divisor; üblicherweise 1/8
110x0bTeiler, Nanosekunden (1–255)
120x0cMinimale Zykluszeit t CK minIn Vielfachen von MTB
130x0dReserviert
140x0e1110987654Unterstützte CAS-Latenzen (Bitmap)
150x0fN / A18171615141312
160x10Minimale CAS-Latenzzeit, t AA minIn Vielfachen von MTB; z. B. 80/8 ns.
170x11Minimale Schreibwiederherstellungszeit, t WR minIn Vielfachen von MTB; z. B. 120/8 ns.
180x12Minimale Verzögerungszeit von RAS zu CAS, t RCD minIn Vielfachen von MTB; z. B. 100/8 ns.
190x13Minimale aktive Verzögerungszeit zwischen Zeilen, t RRD minIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
200x14Minimale Reihenvorladezeit, t RP minIn Vielfachen von MTB; z. B. 100/8 ns.
210x15t RC min, Bits 11:8t RAS min, Bits 11:8Die oberen 4 Bits der Bytes 23 und 22
220x16Mindestaktivitätszeit, t RAS min, Bits 7:0In Vielfachen von MTB; z. B. 280/8 ns.
230x17Minimale Aktivierungs-/Aktualisierungszeit, t RC min, Bits 7:0In Vielfachen von MTB; z. B. 396/8 ns.
240x18Minimale Aktualisierungsverzögerung, t RFC min, Bits 7:0In Vielfachen von MTB; z. B. 1280/8 ns.
250x19Minimale Aktualisierungsverzögerung, t RFC min, Bits 15:8
260x1aMinimale interne Schreib-zu-Lese-Verzögerung, t WTR minIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
270x1bMinimale interne Leseverzögerung bis zum Vorladen, t RTP minIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
280x1cReserviertt FAW min, Bits 11:8In Vielfachen von MTB; z. B. 240/8 ns.
290x1dMindestens vier Aktivierungsfensterverzögerungen t FAW min, Bits 7:0
300x1eDLL-AusN / ARZQ/7RZQ/6SDRAM-Optionalfunktionen unterstützen Bitmap
310x1fPASRN / AODTSASRETR 1×ETR (95 °C)SDRAM-Thermo- und Refresh-Optionen
320x20GegenwärtigGenauigkeit (noch festzulegen; derzeit 0 = undefiniert)DIMM-Temperatursensor vorhanden?
330x21Nicht standardmäßig.Würfel zählenN / ASignallastNicht standardmäßiger SDRAM-Gerätetyp (z. B. gestapelter Chip)
340x22t CK min Korrektur (neu für 1.1)Signiertes Vielfaches von FTB, addiert zu Byte 12
350x23t AA min Korrektur (neu für 1.1)Signiertes Vielfaches von FTB, addiert zu Byte 16
360x24t RCD -Mindestkorrektur (neu für 1.1)Signiertes Vielfaches von FTB, addiert zu Byte 18
370x25t RP min Korrektur (neu für 1.1)Signiertes Vielfaches von FTB, addiert zu Byte 20
380x26t RC min correction (neu für 1.1)Signiertes Vielfaches von FTB, addiert zu Byte 23
39–400x27–0x28ReserviertFür die zukünftige Standardisierung.
410x29Anbieterspezifischt MAWMaximale Aktivierungsanzahl (MAC) (ungetestet/700k/600k/.../200k/reserviert/∞)Zur Minderung der Schäden durch Reihenhammer
42–590x2a–0x3bReserviertFür die zukünftige Standardisierung.
600x3cN / AModulhöhe, mm (1–31, >45)Modul nominale Höhe
610x3dRückseitenstärke, mm (1–16)Frontdicke, mm (1–16)Moduldicke, Wert = ceil(mm) − 1
620x3eDesignRevisionJEDEC-DesignnummerJEDEC-Referenzdesign verwendet (11111=kein)
63–1160x3f–0x74Modulspezifischer AbschnittUnterscheidet sich zwischen registrierten/ungepufferten
1170x75Modulhersteller-ID, lsbyteZugewiesen von JEP-106
1180x76Modulhersteller-ID, msbyte
1190x77Standort der ModulfertigungHerstellerspezifischer Code
1200x78JahrzehnteJahreHerstellungsjahr (BCD)
1210x79Zehn WochenWochenProduktionswoche (BCD)
122–1250x7a–0x7dModulseriennummerHerstellerspezifischer Code
126–1270x7e–0x7fSPD CRC-16Beinhaltet die Bytes 0–116 oder 0–125; siehe Byte 0, Bit 7
128–1450x80–0x91Modul-TeilenummerASCII-Teilmenge, mit Leerzeichen aufgefüllt
146–1470x92–0x93Modulrevisionscodevom Anbieter definiert
148–1490x94–0x95DRAM-Hersteller-IDIm Gegensatz zum Modulhersteller
150–1750x96–0xAFHerstellerspezifische Daten
176–2550xB0–0xFFFür den Kunden verfügbar

Die Speicherkapazität eines Moduls lässt sich aus den Bytes 4, 7 und 8 berechnen. Die Modulbreite (Byte 8) geteilt durch die Anzahl der Bits pro Chip (Byte 7) ergibt die Anzahl der Chips pro Rank. Diese kann dann mit der Kapazität pro Chip (Byte 4) und der Anzahl der Chip-Ränge auf dem Modul (üblicherweise 1 oder 2, aus Byte 7) multipliziert werden.

DDR4 SDRAM

Der DDR4-SDRAM-Standard „Annex L“ für SPD ändert das verwendete EEPROM-Modul. Anstelle der alten AT24C02-kompatiblen 256-Byte-EEPROMs definiert JEDEC nun einen neuen, nicht standardisierten Typ EE1004 mit zwei Seiten auf SMBus-Ebene, die jeweils 256 Byte groß sind. Der neue Speicher verwendet weiterhin die alten Adressen 0x50–0x57, jedoch werden nun zusätzlich die Adressen 0x36 (SPA0) und 0x37 (SPA1) verwendet, um Befehle zur Auswahl der aktuell aktiven Seite für den Bus zu empfangen – eine Form des Bank-Switchings . [ 11 ] Intern ist jede logische Seite in zwei physische Blöcke mit je 128 Byte unterteilt, insgesamt also vier Blöcke mit 512 Byte. [ 12 ] Die übrige Semantik für „spezielle“ Adressbereiche bleibt unverändert, der Schreibschutz wird jedoch nun blockweise adressiert, und zum Ändern des Status ist eine hohe Spannung an SA0 erforderlich. [ 13 ]

Anhang L definiert verschiedene Layouts, die je nach Speichermodultyp in eine 512-Byte-Vorlage (von der maximal 320 Byte definiert sind) eingefügt werden können. Die Bitdefinitionen ähneln DDR3. [ 12 ]

SPD-Inhalte für DDR4 SDRAM [ 14 ]
Byte Bisschen Anmerkungen
DezemberVerhexen76543210
00x00SPD-Bytes verwendet
10x01SPD-Revision Nr.Typischerweise 0x10, 0x11, 0x12
20x02Grundlegender Speichertyp (12 = DDR4 SDRAM)RAM-Chiptypen
30x03ReserviertModultypArt des Moduls; z. B. 2 = ungepuffertes DIMM, 3 = SO-DIMM, 11 = LRDIMM
40x04Teile der BankengruppeBankadressenbits−2Gesamtkapazität des SDRAM pro Chip in MegabitNull bedeutet keine Bankengruppen, 4 Banken, 256 Mibit.
50x05ReserviertZeilenadressbits −12Spaltenadressenbits−9
60x06Primärer SDRAM-GehäusetypWürfel zählenReserviertSignalbeladung
70x07ReserviertMaximales Aktivierungsfenster (tMAW)Maximale Aktivierungsanzahl (MAC)SDRAM optionale Funktionen
80x08ReserviertSDRAM-Thermo- und Refresh-Optionen
90x09Postpaketreparatur (PPR)Soft PPRReserviertWeitere optionale SDRAM-Funktionen
100x0aSDRAM-GehäusetypWürfelanzahl−1DRAM-DichteverhältnisSignalbeladungSekundärer SDRAM-Gehäusetyp
110x0bReserviertEndurant-FlaggeFunktionsfähige FlaggeModul-Nennspannung, VDD
120x0cReserviertRangmischungPaketränge pro DIMM−1SDRAM-GerätebreiteModulorganisation
130x0dReserviertBusbreitenerweiterungPrimäre BusbreiteModulspeicherbusbreite in Bit
140x0eThermischer SensorReserviertModul-Thermosensor
150x0fReserviertErweiterter Basismodultyp
160x10Reserviert
170x11ReserviertMittlere Zeitbasis (MTB)Feine Zeitbasis (FTB)Gemessen in ps.
180x12Minimale SDRAM-Zykluszeit, t CKAVG minIn Vielfachen von MTB; z. B. 100/8 ns.
190x13Maximale SDRAM-Zykluszeit, t CKAVG maxIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
200x141413121110987Unterstützte CAS-Latenzen Bitmaske
210x152221201918171615Unterstützte CAS-Latenzen Bitmaske
220x163029282726252423Unterstützte CAS-Latenzen Bitmaske
230x17Niedriger CL-BereichReserviert363534333231Unterstützte CAS-Latenzen Bitmaske
240x18Minimale CAS-Latenzzeit, t AA minIn Vielfachen von MTB; z. B. 1280/8 ns.
250x19Minimale Verzögerungszeit von RAS zu CAS, t RCD minIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
260x1aMinimale Vorladeverzögerungszeit der Reihe, t RP minIn Vielfachen von MTB; z. B. 60/8 ns.
270x1bObere Nibbles für t RAS min und t RC min
280x1cMinimale Verzögerungszeit zwischen aktiver und Vorladung, t RAS min niederwertigstes ByteIn Vielfachen von MTB
290x1dMinimale Verzögerungszeit zwischen aktiver und aktiver Aktualisierung, t RC min niedrigstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
300x1eMinimale Aktualisierungsverzögerungszeit, t RFC1 min niedrigstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
310x1fMinimale Aktualisierungsverzögerungszeit, t RFC1 min höchstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
320x20Minimale Aktualisierungswiederherstellungsverzögerungszeit, t RFC2 min niedrigstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
330x21Minimale Aktualisierungs-Wiederherstellungsverzögerungszeit, t RFC2 min höchstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
340x22Minimale Aktualisierungswiederherstellungsverzögerungszeit, t RFC4 min niedrigstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
350x23Minimale Aktualisierungs-Wiederherstellungsverzögerungszeit, t RFC4 min höchstwertiges ByteIn Vielfachen von MTB
360x24Reserviertt FAW min bedeutendstes Nibble
370x25Mindestens vier Aktivierungsfensterverzögerungszeiten, t FAW min niederwertigstes ByteIn Vielfachen von MTB
380x26Minimale Aktivierungsverzögerungszeit, t RRD_S min, verschiedene BankgruppenIn Vielfachen von MTB
390x27Minimale Aktivierungsverzögerungszeit, t RRD_L min, gleiche BankgruppeIn Vielfachen von MTB
400x28Minimale CAS-zu-CAS-Verzögerungszeit, t CCD_L min, gleiche BankgruppeIn Vielfachen von MTB
410x29Oberes Knabbern für t WR min
420x2aMinimale Schreibwiederherstellungszeit, t WR minIn Vielfachen von MTB
430x2bObere Knabbereien für t WTR min
440x2cMinimale Schreib-Lese-Zeit, t WTR_S min, verschiedene BankgruppenIn Vielfachen von MTB
450x2dMinimale Schreib-Lese-Zeit, t WTR_L min, gleiche BankgruppeIn Vielfachen von MTB
49–590x2e–0x3bReserviertAbschnitt „Basiskonfiguration“
60–770x3c–0x4dAnschluss-zu-SDRAM-Bitbelegung
78–1160x4e–0x74ReserviertAbschnitt „Basiskonfiguration“
1170x75Feinjustierung für minimale CAS-zu-CAS-Verzögerungszeit, t CCD_L min, gleiche BankZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1180x76Feinjustierung für minimale Aktivierungsverzögerungszeit, t RRD_L min, gleiche BankgruppeZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1190x77Feinjustierung für minimale Aktivierungsverzögerungszeit, t RRD_S min, verschiedene BankgruppeZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1200x78Feinjustierung für minimale Verzögerungszeit zwischen aktivem und aktivem/Aktualisieren, t RC minZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1210x79Feinjustierung für minimale Reihenvorladeverzögerungszeit, t RP minZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1220x7aFeinjustierung für minimale RAS-zu-CAS-Verzögerungszeit, t RCD minZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1230x7bFeinjustierung für minimale CAS-Latenzzeit, t AA minZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1240x7cFeinjustierung der maximalen Zykluszeit des SDRAM, t CKAVG maxZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1250x7dFeinjustierung der minimalen Zykluszeit des SDRAM, t CKAVG minZweierkomplement-Multiplikator für FTB-Einheiten
1260x7eZyklischer Redundanzcode (CRC) für den Basiskonfigurationsabschnitt, niedrigstwertiges ByteCRC16-Algorithmus
1270x7fZyklischer Redundanzcode (CRC) für den Basiskonfigurationsabschnitt, höchstwertiges ByteCRC16-Algorithmus
128–1910x80–0xbfModulspezifischer AbschnittAbhängig von der Speichermodulfamilie (UDIMM, RDIMM, LRDIMM)
192–2550xc0–0xffSpezifische Parameter der Hybrid-Speicherarchitektur
256–3190x100–0x13fErweiterter Funktionsparameterblock
320–3210x140–0x141ModulherstellerSiehe JEP-106
3220x142Standort der ModulfertigungVom Hersteller definierter Fertigungsstandortcode
3230x143ModulherstellungsjahrDargestellt im binär codierten Dezimalsystem (BCD)
3240x144ModulfertigungswocheDargestellt im binär codierten Dezimalsystem (BCD)
325–3280x145–0x148ModulseriennummerVom Hersteller definiertes Format für eine eindeutige Seriennummer über verschiedene Teilenummern hinweg
329–3480x149–0x15cModul-TeilenummerASCII-Teilenummer, ungenutzte Ziffern sollten auf 0x20 gesetzt werden.
3490x15dModulrevisionscodeVom Hersteller definierter Revisionscode
350–3510x15e–0x15fDRAM-Hersteller-ID-CodeSiehe JEP-106
3520x160DRAM-SteppingVom Hersteller festgelegte Schrittweite oder 0xFF, falls nicht verwendet
353–3810x161–0x17dHerstellerspezifische Daten
382–3830x17e–0x17fReserviert

DDR5 SDRAM

Vorläufige Tabelle für DDR5, basierend auf der JESD400-5-Spezifikation. [ 15 ]

DDR5 erweitert die SPD-Tabelle auf 1024 Byte. Die SPD von DDR5 nutzt den I3C- Bus.

SPD-Inhalte für DDR5 SDRAM
Byte Bisschen Anmerkungen
DezemberVerhexen76543210
00x00Anzahl der Bytes im SPD-Gerät
10x01SPD-Revision für Basiskonfigurationsparameter
20x02Schlüsselbyte / Hostbus-Befehlsprotokolltyp
30x03Schlüsselbyte / Modultyp
40x04Erste SDRAM-Dichte und -Gehäuse
50x05Erste SDRAM-Adressierung
60x06Erste SDRAM-E/A-Breite
70x07Erste SDRAM-Bankengruppen und Banken pro Bankengruppe
80x08Zweite SDRAM-Dichte und -Gehäuse
90x09Zweite SDRAM-Adressierung
100x0aZweite SDRAM-E/A-Breite
110x0bZweite SDRAM-Bankengruppen und Banken pro Bankengruppe
120x0cSDRAM optionale Funktionen
130x0dThermische und Kühloptionen
140x0eReserviert
150x0fReserviert
160x10SDRAM-Nennspannung, VDD

EEPROM-Chip

Es gibt drei Hauptgenerationen von EEPROMs gemäß JEDEC-Standards: den 256 Byte großen EE1002 für DDR3 und ältere Speichertypen, den 512 Byte großen EE1004 für DDR4 und den 1024 Byte großen „Hub“-EEPROM SPD5118 für DDR5. Der EE1002 ist der Standard-EEPROM der 24er-Serie. Der EE1004 ist der neuere EEPROM der 34er-Serie und unterscheidet sich hauptsächlich durch einen „Seitenumschalt“-Befehl, der den Zugriff auf den gesamten Inhalt ermöglicht (neben anderen Unterschieden). Der SPD5118 ist grundlegend anders.

Es gibt auch thermische Sensorversionen von EE1002 und EE1004, aber sie sprechen das gleiche Protokoll für ihren SPD-Teil.

Adressierung

Wie bereits erwähnt, verwendet SPD drei Pins zur Adressierung von bis zu 8 separaten Modulen von 0 bis 7. Dies trifft nur auf EE1002 und EE1004 zu; SPD5118 verwendet einen einzelnen Pin mit Erdungswiderständen zur Angabe der Modulidentität von 0 bis 7. [ 16 ] : §2.7

Für EE1002 und EE1004 liegt der I²C - Adressbereich zwischen 0x50 und 0x57. Sie verwenden außerdem den Adressbereich 0x30 bis 0x37, sofern sie nicht schreibgeschützt sind (siehe unten). Bei Verwendung eines zugehörigen Temperatursensors wird der Adressbereich 0x18 bis 0x1F genutzt. Alle diese Werte sind 7-Bit-I²C - Adressen, die aus einem Gerätetyp-Identifikationscode-Präfix (DTIC) mit SA0-2 bestehen: Um beispielsweise (1100) aus Steckplatz 3 zu lesen 110 0011 = 0x33, wird dies mit einem abschließenden Lese-/Schreibbit (R/W) kombiniert, um den 8-Bit-Geräteauswahlcode (Device Select Code) zu bilden. [ 17 ]

Der 5118 enthält zahlreiche Geräte. Der Hub selbst befindet sich wie zuvor im Bereich 0x50–0x57. Die lokalen Geräte werden über den Hub mittels I²C adressiert . [ 16 ] : §2.7

Schreibschutz

Der EE1002 verfügt über drei Schreibschutzebenen. Die Hardwareebene ist in Form eines WC#-Pins realisiert; bei Low-Pegel werden alle Schreibvorgänge verhindert. Die Softwareebene besteht aus wenigen Befehlen. Um den Software-Schreibschutz zu ändern, muss am Adresspin SA0 die Spannung V<sub> HV</sub> (anstelle der üblichen Logikspannungen 0 oder 1) angelegt werden, wobei für die anderen SA-Pins bestimmte Kombinationen erforderlich sind. Dadurch wird keine Unterscheidung der Steckplatz-IDs mehr vorgenommen. [ 18 ] Die letzte Ebene ist die „permanente“ Ebene; ein Befehl kann gesendet werden, um die ersten 128 Bytes dauerhaft unveränderlich zu machen. [ 19 ]

Der EE1004 besitzt keinen WC#-Pin und keine „permanente“ Schicht. Er verfügt über vier Befehle, um den Schreibschutzstatus jedes 64-Byte-Slices des Bausteins separat festzulegen (mit unterschiedlichen Parametern) und einen Befehl, um alle gleichzeitig zu löschen. Für diese Befehle ist wie zuvor die Ansteuerung von V<sub> HV</sub> erforderlich . [ 20 ]

The SPD5118 has two modes of protection. In the normal operating mode with the address pin connected to GND via a resistor, protection can only be added to 64-byte slices, not removed. In the "tester" mode with the address pin connected to GND directly however, these bits can be freely removed.[16]: §2.7 (The hub itself also has a number of volatile and non-volatile registers independent of the EEPROM part. Some registers are "password-protected", being neither readable nor writable unless the correct value is filled to the "password registers".)

On many newer computers with DDR4 or DDR5 DIMM, the UEFI/BIOS will mark SPD EEPROM as read-only if the boot-time memory initialization is completed. This makes software like Thaiphoon Burner difficult to modify SPD EEPROM.

Extensions

The JEDEC standard only specifies some of the SPD bytes. The truly critical data (for up to DDR3) fits into the first 64 bytes,[6][7][21][22][23] while some of the remainder is earmarked for manufacturer identification. However, a 256-byte EEPROM is standardized (for up to DDR3). A number of uses have been made of the remaining space.

Memory generally comes with conservative timing recommendations in the SPD ROM, to ensure basic functionality on all systems. Enthusiasts often spend considerable time manually adjusting the memory timings for higher speed. Enabling special configurations such as Intel XMP or AMD EXPO often requires additional testing to ensure system stability[24] and may void CPU warranty if used out of the manufacturer’s published specifications.[25][26][27]

Enhanced Performance Profiles (EPP)

Enhanced Performance Profiles is an extension of SPD, developed by Nvidia and Corsair, which includes additional information for higher-performance operation of DDR2 SDRAM, including supply voltages and command timing information not included in the JEDEC SPD spec. The EPP information is stored in the same EEPROM, but in bytes 99–127, which are unused by standard DDR2 SPD.[28]

EPP SPD ROM usage
BytesSizeFull profilesAbbreviated profiles
99–1035EPP header
104–1096Profile FP1Profile AP1
110–1156Profile AP2
116–1216Profile FP2Profile AP3
122–1276Profile AP4

Die Parameter sind speziell auf den Speichercontroller der nForce 5- , nForce 6- und nForce 7 -Chipsätze abgestimmt. Nvidia empfiehlt die Unterstützung von EPP im BIOS für seine High-End-Mainboard-Chipsätze. Dies soll ein „ Übertakten mit einem Klick “ ermöglichen und so mit minimalem Aufwand eine höhere Leistung erzielen.

Nvidias Bezeichnung für EPP-Speicher, der hinsichtlich Leistung und Stabilität qualifiziert ist, lautet „SLI-fähiger Speicher“. [ 29 ] Der Begriff „SLI-fähiger Speicher“ hat zu Verwirrung geführt, da er nichts mit SLI-Video zu tun hat . EPP/SLI-Speicher kann mit einer einzelnen Grafikkarte (auch einer Nicht-Nvidia-Karte) verwendet werden, und ein SLI-Videosystem mit mehreren Grafikkarten ist auch ohne EPP/SLI-Speicher möglich.

Eine erweiterte Version, EPP 2.0, unterstützt auch DDR3-Speicher. [ 30 ]

Intel Extreme Memory Profile (XMP)

Eine ähnliche, von Intel entwickelte JEDEC-SPD-Erweiterung wurde für DDR3-SDRAM -DIMMs entwickelt und später auch in DDR4- und DDR5-SDRAM verwendet . XMP nutzt die von JEDEC nicht zugewiesenen Bytes 176–255, um höherwertige Speichertimings zu kodieren. [ 31 ]

Später entwickelte AMD AMP, eine Technologie, die XMP entspricht, für seine „Radeon Memory“-Speichermodule, die für AMD-Plattformen optimiert sind. [ 32 ] [ 33 ] Darüber hinaus implementierten Mainboard-Hersteller eigene Technologien, um ihren AMD-basierten Mainboards das Auslesen von XMP-Profilen zu ermöglichen: MSI bietet A-XMP, [ 34 ] ASUS DOCP (Direct Over Clock Profile) und Gigabyte EOCP (Extended Over Clock Profile). [ 35 ]

DDR3 XMP

XMP SPD ROM-Nutzung [ 36 ]
DDR3 BytesGrößeVerwenden
176–1849XMP-Header
185–21935XMP-Profil 1 („Enthusiasten“-Einstellungen)
220–25435XMP-Profil 2 ("extreme" Einstellungen)

Der Header enthält die folgenden Daten. Am wichtigsten ist der Wert für die „mittlere Zeitbasis“ MTB, angegeben als rationale Zahl in Nanosekunden (gängige Werte sind 1/8, 1/12 und 1/16 ns). Viele weitere Zeitwerte werden als ganzzahlige Anzahl von MTB-Einheiten ausgedrückt.

Ebenfalls im Header enthalten ist die Anzahl der DIMMs pro Speicherkanal, die das Profil unterstützen soll; die Einbeziehung von mehr DIMMs kann zu Problemen führen.

XMP-Header-Bytes [ 36 ]
DDR3 ByteBitsVerwenden
1767:0XMP- Magic-Number -Byte 1 0x0C
1777:0XMP-Magic-Number-Byte 2 0x4A
1780Profil 1 aktiviert (bei 0 deaktiviert)
1Profil 2 aktiviert
3:2Profil 1 DIMMs pro Kanal (1–4 als 0–3 kodiert)
5:4Profil 2 DIMMs pro Kanal
7:6Reserviert
1793:0XMP-Nebenversionsnummer (x.0 oder x.1)
7:4XMP-Hauptversionsnummer (0.x oder 1.x)
1807:0Dividende mit mittlerem Zeithorizont für Profil 1
1817:0Mittlerer Zeitbasisdivisor für Profil 1 (MTB = Dividend/Divisor ns)
1827:0Dividende mit mittlerer Zeitbasis für Profil 2 (z. B. 8)
1837:0Mittlerer Zeitbasisdivisor für Profil 2 (z. B. 1, was MTB = 1/8 ns ergibt)
1847:0Reserviert
XMP-Profilbytes [ 36 ]
DDR3 Byte 1DDR3 Byte 2BitsVerwenden
1852200Modul Vdd Spannung Zwanzigstel (0,00 oder 0,05)
4:1Modul Vdd Spannung Zehntel (0,0–0,9)
6:5Modul Vdd Spannungseinheiten (0–2)
7Reserviert
1862217:0Minimale SDRAM-Taktperiode t CK min (MTB-Einheiten)
1872227:0Minimale CAS-Latenzzeit t AA min (MTB-Einheiten)
1882237:0Unterstützte CAS-Latenzen (Bitmap, 4–11 kodiert als Bits 0–7)
1892246:0Unterstützte CAS-Latenzen (Bitmap, 12–18 kodiert als Bits 0–6)
7Reserviert
1902257:0Minimale CAS-Schreiblatenzzeit t CWL min (MTB-Einheiten)
1912267:0Minimale Zeilenvorladeverzögerungszeit t RP min (MTB-Einheiten)
1922277:0Minimale Verzögerungszeit von RAS zu CAS t RCD min (MTB-Einheiten)
1932287:0Minimale Schreibwiederherstellungszeit t WR min (MTB-Einheiten)
1942293:0t RAS min upper nibble (bits 11:8)
7:4t RC min upper nibble (bits 11:8)
1952307:0Minimale Verzögerungszeit zwischen aktiver und Vorladung t RAS min Bits 7:0 (MTB-Einheiten)
1962317:0Minimale Verzögerungszeit zwischen aktivem und aktivem/Aktualisieren t RC min Bits 7:0 (MTB-Einheiten)
1972327:0Maximales durchschnittliches Aktualisierungsintervall t REFIlsbyte (MTB-Einheiten)
1982337:0Maximales durchschnittliches Aktualisierungsintervall t REFI msbyte (MTB-Einheiten)
1992347:0Minimale Aktualisierungs-Wiederherstellungsverzögerungszeit t RFC min lsbyte (MTB-Einheiten)
2002357:0Minimale Aktualisierungsverzögerungszeit t RFC min msbyte (MTB-Einheiten)
2012367:0Minimale interne Leseverzögerungszeit für den Vorladebefehl t RTP min (MTB-Einheiten)
2022377:0Minimale Verzögerungszeit zwischen aktiven Zeilen t RRD min (MTB-Einheiten)
2032383:0t FAW min upper nibble (bits 11:8)
7:4Reserviert
2042397:0Mindestens vier Aktivierungsfenster-Verzögerungszeiten t FAW min Bits 7:0 (MTB-Einheiten)
2052407:0Minimale interne Verzögerungszeit zwischen Schreib- und Lesebefehl t WTR min (MTB-Einheiten)
2062412:0Anpassung der Bearbeitungszeit von Schreib- und Lesebefehlen (0–7 Taktzyklen)
3Schreiben Sie, um das Vorzeichen für die Drehrichtungsanpassung des Befehls zu lesen (0=Anziehen, 1=Ausschieben)
6:4Anpassung der Bearbeitungszeit für Lese- und Schreibbefehle (0–7 Taktzyklen)
7Lesen Sie, um das Befehlsdrehungseinstellungszeichen zu schreiben (0=einziehen, 1=ausschieben)
2072422:0Anpassung der Bearbeitungszeit für aufeinanderfolgende Befehle (0–7 Taktzyklen)
3Einstellschild für die Drehung (0 = Einziehen, 1 = Ausschieben)
7:4Reserviert
2082437:0System-CMD-Ratenmodus. 0 = JTAG-Standard, ansonsten in speziellen Einheiten von MTB × t CK /ns. Beispiel: Bei MTB = 1/8 ns erfolgt die Angabe in Einheiten von 1/8 Taktzyklus.
2092447:0Leistung der automatischen Selbstaktualisierung des SDRAM. Laut Standardversion 1.1 ist die Dokumentation noch in Arbeit .
210–218245–2537:0Reserviert
2192547:0Reservierter , herstellerspezifischer Persönlichkeitscode.

AMD Erweiterte Profile für Übertaktung (EXPO)

AMDs Extended Profiles for Overclocking (EXPO) ist eine JEDEC SPD-Erweiterung für DDR5 -DIMMs, die mit einem Klick ein automatisches Übertaktungsprofil auf den Arbeitsspeicher anwendet. [ 37 ] [ 38 ] AMD EXPO-zertifizierte DIMMs bieten optimierte Timings, die für Zen-4 -Prozessoren zertifiziert sind. [ 39 ] Im Gegensatz zu Intels geschlossenem XMP-Standard ist EXPO offen und lizenzgebührenfrei . [ 38 ] Er kann auf Intel-Plattformen verwendet werden. [ 38 ] Zum Marktstart im September 2022 sind 15 Partner-RAM-Kits mit EXPO-Zertifizierung und Geschwindigkeiten von bis zu 6400 MT/s erhältlich. [ 40 ]

EXPO Ultra Low Latency (ULL)

Auf der Computex 2026 kündigte AMD EXPO Ultra Low Latency (EXPO ULL) an, eine Erweiterung von EXPO, die die Angabe zusätzlicher Sub-Timings ermöglicht, darunter t<sub> REFI</sub> (Refresh-Intervall), t<sub> RRD_S </sub> (RAS-zu-RAS-Verzögerung, kurz) und t <sub>WR</sub> (Schreibwiederherstellungszeit), sowie die Angabe der V<sub> DDP </sub>-Spannung. [ 41 ] [ 42 ] EXPO ULL ist mit bestehenden EXPO-kompatiblen Mainboards kompatibel, allerdings ist wahrscheinlich ein BIOS-Update erforderlich. [ 42 ] Für DDR5-6000 gab AMD eine Steigerung der durchschnittlichen FPS um 4 % und der Low-FPS um 1 % in 30 getesteten Spielen auf einem Ryzen 7 9700X Prozessor im Vergleich zu EXPO-DIMMs ohne ULL an. [ 42 ] AMD behauptete, dass EXPO-ULL-RAM-Kits „praktisch zum gleichen Preis“ wie EXPO-Kits ohne ULL angeboten würden. [ 42 ] G.Skill hingegen erwartete höhere Preise und begründete dies mit der Notwendigkeit einer strengeren Kategorisierung. [ 43 ]

Herstellerspezifischer Speicher

Ein häufiger Missbrauch besteht darin, Informationen in bestimmte Speicherbereiche zu schreiben, um herstellerspezifische Speichermodule an ein bestimmtes System zu binden. Fujitsu Technology Solutions ist dafür bekannt, dies zu tun. Das Hinzufügen anderer Speichermodule zum System führt in der Regel zu einer Ablehnung oder anderen Gegenmaßnahmen (wie dem Drücken von F1 bei jedem Systemstart).

02 0E 00 01-00 00 00 EF-02 03 19 4D-BC 47 C3 46 ...........MGF 53 43 00 04-EF 4F 8D 1F-00 01 70 00-01 03 C1 CF SC...O....p..... 

Dies ist die Ausgabe eines 512-MB-Speichermoduls von Micron Technologies, das für Fujitsu-Siemens Computers gebrandet wurde. Beachten Sie die Zeichenfolge „FSC“ (46 53 43). Das System-BIOS lehnt Speichermodule ab, die diese Information nicht enthalten (ab Offset 128h).

Einige Packard Bell AMD-Laptops verwenden ebenfalls diese Methode. In diesem Fall können die Symptome variieren, es kann aber zu einem blinkenden Cursor anstelle eines Pieptonmusters führen. Dies kann übrigens auch ein Anzeichen für eine Beschädigung des BIOS sein. [ 44 ] Auch ein Upgrade von 2 GB auf 4 GB kann Probleme verursachen.

Informationen zur Lese- und Schreibfähigkeit

Die Hersteller von Speichermodulen schreiben die SPD-Informationen in den EEPROM des Moduls. Das BIOS des Motherboards liest die SPD-Informationen, um den Speichercontroller zu konfigurieren.

An Bord des SMBus

Der SMBus- Controller des Motherboards ermöglicht den direkten Zugriff auf SPDs (Single-Point-Distribution) eines angeschlossenen Speichermoduls. Einige Motherboard-Chipsätze erlauben die Auswahl eines Schreibschutzes für SPDs. Um diesen Zugriff zu ermöglichen, muss das Betriebssystem SMBus unterstützen, über geeignete Treiber für die EEPROMs verfügen und der SMBus des Motherboards muss mit den SPD-EEPROMs verbunden sein.

  • (R) Unter Linux und FreeBSD dekodiert und gibt das von lm_sensors bereitgestellte Benutzerprogramm JEDEC-Standardinformationen zu jedem Speicher mit SPD-Informationen im Computer aus. Für SPD vor DDR4 wird entweder der Treiber „eeprom“ oder „at24“ (EEPROM der 24er-Serie) benötigt. Für DDR4 SPD wird entweder der Treiber „eeprom“ oder der Treiber „ee1004“ (EEPROMs der 34er-Serie gemäß JEDEC EE1004) benötigt. [ 45 ] [ 46 ] Auf älteren Linux-Distributionen war decode-dimms.pl Teil von lm_sensors . decode-dimmsi2c-tools
    • (W) Das eeprogTool von i2c-tools ermöglicht das Schreiben auf EEPROMs der Serie 24, d.h. bis zu DDR3.
  • (RW) Unter Linux und FreeBSD liest und beschreibt das Python-Skript spd-eepromEEPROMs der Serien AT24 und EE1004. Es bietet ausschließlich rohes Lesen und Schreiben von SMBus-Daten, jedoch keine Dekodierung. Die Treiberanforderungen sind dieselben wie in [ 47 ]i2c-tools .
  • (R) Bei OpenBSD 4.3+ und NetBSD 5.0+ greift der spdmem(4) -Treiber über den SMBus auf das EEPROM zu, um Informationen über Speichermodule bereitzustellen (nur den JEDEC-Standardteil).
  • (R) Coreboot liest und verwendet SPD-Informationen, um alle Speichercontroller eines Computers hinsichtlich Timing, Größe und anderer Eigenschaften zu initialisieren. Coreboot ist als Firmware des Computers konzipiert und ersetzt das BIOS (oder ein UEFI -fähiges BIOS).
  • (R) HWiNFO , CPU-Z und Speccy sind Microsoft Windows- Programme, die SPD-Informationen, einschließlich XMP und anderer Erweiterungen, lesen und anzeigen. [ 48 ]
  • (RW) Thaiphoon Burner ( Abandonware ) ist ein Windows-Programm, das das Lesen und Schreiben von SPD-Daten von Speichermodulen bis zu DDR4 (einschließlich XMP) ermöglicht. SPDtool ist eine weitere Abandonware mit ähnlichem Zweck.

Weitere SMBus-Funktionen

Temperatursensor

JEDEC definiert Standards für SMBus-adressierbare Temperatursensoren auf Speichermodulen. TS3000 ist der unabhängige Sensor für Speichermodule bis DDR3. TSE2002 ist der kombinierte SPD- und Temperatursensor für Speichermodule bis DDR3. TSE2004 ist der kombinierte SPD- und Temperatursensor für DDR4. SPD5118 ist der „Hub“, der Temperatur- und SPD-Sensoren für DDR5 integriert.

RGB-LED-Steuerung

Einige Speichermodule (insbesondere in Gaming-PCs ) [ 49 ] unterstützen RGB-LEDs, die über proprietäre SMBus-Befehle gesteuert werden. Dies ermöglicht die Steuerung der LED-Farbe ohne zusätzliche Anschlüsse und Kabel. Windows-Kernel-Treiber verschiedener Hersteller, die zur Steuerung der LEDs benötigt werden, wurden allein im Jahr 2020 mehrfach ausgenutzt, um Zugriffe zu erlangen, die vom vollständigen Kernel-Speicherzugriff bis hin zur Steuerung von MSR und I/O-Ports reichen. [ 50 ] [ 51 ] [ 52 ]

SMBIOS

Das SMBIOS übermittelt Daten über den Arbeitsspeicher vom BIOS an den Computer. Diese Informationen werden vom Programm dmidecode abgerufen, das unter Linux , FreeBSD , NetBSD , OpenBSD , BeOS , Cygwin und Solaris läuft . Es greift jedoch nicht auf die SPD-Informationen, sondern auf die SMBIOS-Informationen zu, weshalb die Daten möglicherweise unvollständig oder fehlerhaft sind. [ 53 ]

Ex situ SMBus

Durch Ausbau des EEPROM-Chips und dessen Verpflanzung an eine andere Stelle lässt sich ein direkterer SMBus-Zugriff erzielen. Dies trägt dazu bei, Störungen durch Chipsätze zu beseitigen.

Laptops und Webcams

Eine eher ungewöhnliche Verwendung alter Laptops ist die als universelle SMBus-Lesegeräte. Der interne EEPROM des Moduls kann deaktiviert werden, sobald das BIOS ihn ausgelesen hat, sodass der Bus frei zugänglich ist. Dazu werden die A0- und A1-Leitungen auf Low-Pegel gezogen, wodurch der interne Speicher abgeschaltet wird und das externe Gerät auf den SMBus zugreifen kann. Anschließend kann eine angepasste Linux-Distribution oder eine DOS-Anwendung auf das externe Gerät zugreifen. Ein häufiges Anwendungsbeispiel ist das Auslesen von Daten aus den Speicherchips von LCD-Panels, um ein universelles Panel in einen proprietären Laptop einzubauen.

Eine verwandte Technik besteht darin, den Chip von Webcams, die häufig in Laptops verbaut sind, neu zu beschreiben, da die Busgeschwindigkeit deutlich höher ist. Sie können sogar so modifiziert werden, dass Chips der 25er-Serie, die üblicherweise zur Speicherung des UEFI-ROMs eines Motherboards verwendet werden, zum Schutz vor Chipausfällen gelesen und beschrieben werden können.

Bei einigen Chips ist es außerdem ratsam, separate Schreibschutzleitungen zu verwenden, damit die Onboard-Chips während der Neuprogrammierung nicht gelöscht werden.

Probleme bei der Chip-Generation

Dies funktioniert leider nur mit DDR3 und älteren Speichergenerationen, da DDR4 einen anderen Chip (Serie 34) verwendet, um den 512 Byte großen SPD (im Gegensatz zu den 256 Byte der früheren Generationen) zu unterstützen. Diese Chipschnittstelle (EE1004/TSE2004) teilt ihren Speicher in zwei Seiten auf und erfordert einen Seitenwechsel, um den gesamten Chip zu lesen oder zu beschreiben.

Manche Chipsätze können das Auslesen von EEPROM-Chips der 34er-Serie nicht korrekt ausführen, sodass das Auslesen unter Umständen fehlschlägt. Die Software gibt dann möglicherweise die Meldung „Inkompatibler SMBus-Treiber?“ zurück.

DDR5 verwendet ein noch komplexeres Design, den SPD5118 "Hub", der die Kapazität nochmals verdoppelt.

Bei älteren Geräten

Ältere Geräte benötigen teilweise SIMMs mit paralleler Anwesenheitserkennung (häufiger einfach Anwesenheitserkennung oder PD genannt). Einige dieser Geräte, insbesondere IBM- Computer und Hewlett-Packard LaserJet -Drucker, verwenden nicht standardisierte PD-Codierung.

Siehe auch

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